中国科学院化学研究所李鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院化学研究所申请的专利基于含硅聚合物的SiO2层应力调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120247039B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510724709.4，技术领域涉及：C01B33/12；该发明授权基于含硅聚合物的SiO2层应力调控方法是由李鹏飞;杨惠媛;张宗波;徐彩虹设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于含硅聚合物的SiO2层应力调控方法在说明书摘要公布了：本发明涉及基于含硅聚合物的SiO2层应力调控方法，属于含硅聚合物技术领域。本发明方法中采用含硼化合物对含硅聚合物进行改性处理，改性后的含硅聚合物在热退火处理中能够避免出现气孔和微区分相等常见缺陷，提高介质层的致密度，减少SiO2层的应力，改善其电气性能和可靠性，本发明的工艺简单，易于规模化生产，本发明的方法可以对SiO2层应力宽范围的自由调控，本发明中制备的SiO2层能够在微电子器件中提供更高的性能表现，应用前景良好。
本发明授权基于含硅聚合物的SiO2层应力调控方法在权利要求书中公布了：1.基于含硅聚合物的SiO2层应力调控方法，其特征在于，包括如下步骤： （1）在惰性气氛下，将含硼化合物和含硅聚合物的溶液进行反应，得到硼改性含硅聚合物前驱体，其中，所述的含硅聚合物中的Si元素与所述的含硼化合物中B元素的摩尔比为0.5:1~20:1； （2）将所述的硼改性含硅聚合物前驱体中加入催化剂，混合，在衬底上涂覆成膜，烘烤，热退火处理，得到所述的SiO2层； 其中，步骤（2）中，所述的催化剂为金属催化剂和或胺类催化剂。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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