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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120239321B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510704629.2，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由王淑娜;刁怡辰;宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供包括高阻区的衬底，于高阻区内形成高阻区凹槽；于高阻区凹槽内依次形成第一介质层和高阻部件，第一介质层形成于高阻区凹槽底部，且第一介质层的表面低于衬底表面，所述高阻部件位于第一介质层上，且高阻部件的顶面高于衬底表面；于衬底和高阻部件上形成硅化物阻挡层，硅化物阻挡层至少暴露高阻部件的部分顶面；于暴露的高阻部件上形成硅化物层；于高阻区内形成连接高阻结构的高阻区连接件，高阻结构包括位于高阻区凹槽内的第一介质层、高阻部件和位于高阻部件上的硅化物层，高阻区连接件连接高阻部件上的硅化物层。本申请优化了工艺流程，提升了高阻区连接件的质量，减小了接触电阻。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括高阻区，于所述高阻区内形成高阻区凹槽； 于所述高阻区凹槽内依次形成第一介质层和高阻部件，所述第一介质层形成于所述高阻区凹槽的底部，且所述第一介质层的表面低于所述衬底的表面，所述高阻部件位于所述第一介质层上，且所述高阻部件的顶面高于所述衬底的表面； 于所述衬底和所述高阻部件上形成硅化物阻挡层，所述硅化物阻挡层至少暴露所述高阻部件的部分顶面； 于暴露的所述高阻部件上形成硅化物层； 于所述高阻区内形成连接高阻结构的高阻区连接件，所述高阻结构包括位于所述高阻区凹槽内的第一介质层、所述高阻部件和位于所述高阻部件上的硅化物层，所述高阻区连接件连接所述高阻部件上的硅化物层； 其中，所述衬底还包括与所述高阻区间隔设置的高压区； 所述于所述高阻区内形成高阻区凹槽的过程包括： 于所述衬底上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层暴露所述高阻区和所述高压区； 以所述第一光刻胶层为掩膜刻蚀所述衬底，以形成所述高阻区凹槽，并于所述高压区内形成高压区凹槽； 去除所述第一光刻胶层。

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