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龙图腾网获悉申集半导体科技(徐州)有限公司申请的专利一种化合物半导体的制造方法和制造设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120174476B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510667667.5，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权一种化合物半导体的制造方法和制造设备是由黄小辉设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种化合物半导体的制造方法和制造设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种化合物半导体的制造方法及制造设备，该制造设备的气体注入装置设置若干工艺进气通道，以及至少一个补偿进气通道。在半导体材料层的生长过程中，通过探测装置获取半导体材料层不同区域的各生长速率，并且根据生长速率判断是否通过至少一个补偿进气通道通入补偿气体以同步进行气体补偿处理，补充半导体材料层生长所需的气体第一源气和或第二源气，由此可以针对生长过程中出现的半导体材料层的不均匀性即时补充相应的源气，减弱直至消除材料层的生长不均匀性，实现同一基片内、基片与基片之间以及基片的径向方向上的不同圆周之间的半导体材料层的质量、厚度均匀，提高半导体材料的一致性和良率。

本发明授权一种化合物半导体的制造方法和制造设备在权利要求书中公布了：1.一种化合物半导体的制造方法，其特征在于，包括： 提供所述化合物半导体的制造设备，所述化合物半导体的制造设备设有探测装置、气体注入装置和承载装置，所述气体注入装置包括由若干工艺进气通道及至少一个补偿进气通道组成的各进气通道，各所述补偿进气通道设于所述若干工艺进气通道所在的区域，至少一个所述补偿进气通道中，一个所述补偿进气通道位于所述气体注入装置的中心，所述承载装置下方设置有旋转装置，所述旋转装置支撑所述承载装置，并带动所述承载装置旋转，所述补偿进气通道的数量为N，N为大于1的自然数，各所述补偿进气通道自所述气体注入装置的中心起沿所述气体注入装置的径向排布； 将基片放置到所述制造设备内的承载装置上； 控制所述制造设备内达到700~1200摄氏度的反应温度及50~100毫巴的反应压力，控制所述基片以10~1200rpm的速率绕承载所述基片的承载装置的轴线旋转，通过各所述工艺进气通道向所述基片提供流量为MO的含三族元素的第一源气和流量为MH的含五族元素的第二源气，以在所述基片上进行半导体外延层的生长工艺，控制所述第二源气的流量MH与所述第一源气的流量MO的比MH:MO为30:1~5000:1； 所述生长工艺进行的过程中，利用所述探测装置获取半导体材料层在所述基片的径向方向上不同区域的各生长速率； 所述生长工艺进行的过程中，根据各所述生长速率判断是否通过至少一个所述补偿进气通道通入补偿气体以同步进行气体补偿处理，所述补偿气体为所述第一源气或所述第二源气； 其中，所述生长工艺进行的过程中，利用所述探测装置获取所述半导体材料层在所述基片的径向方向上不同区域的各生长速率的步骤包括： 利用所述探测装置获取所述半导体材料层上第M-1个补偿进气通道所对应的基片区域的材料生长速度VM-1，以及获取与所述第M-1个补偿进气通道相邻的第M个补偿进气通道所对应的基片区域的材料生长速度VM，所述第M-1个补偿进气通道所对应的基片区域相较于所述第M个补偿进气通道所对应的基片区域更靠近所述基片的中心，M为大于等于2且小于等于N的正整数； 根据VM-1和VM的大小关系确定自所述第M-1个补偿进气通道所通入的补偿气体的类型及流量； 判断VM-1VM后，自所述第M-1个补偿进气通道通入所述第二源气，并控制流量为MM-1=γ1-VMVM-1MH； 其中，γ为补偿系数，γ=0.8~1.2； 判断VM-1VM后，自第M-1个补偿进气通道通入所述第一源气，并控制流量为MM-1=αVMVM-1-1MO； 其中，α为补偿系数，α=0.8~1.2。

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