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龙图腾网获悉华源智信半导体(深圳)有限公司申请的专利自供电芯片系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120185404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510660229.6，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权自供电芯片系统是由肖海斌;郭春明设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本自供电芯片系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种自供电芯片系统，该系统所在的功率电路的原边绕组一端接收输入电压，另一端依次经J‑FET上管、第一节点及NMOS下管接地，J‑FET上管的控制端接地，自供电芯片系统的芯片供电电容一端接地，另一端分别经默认通态的恒流源及第一开关耦接至第一节点，芯片供电电容为控制器的供电端供电，由于控制器所需的供电电压均小于J‑FET上管的夹断电压，本发明通过在上电时通过恒流源对控制器进行自供电，在供电端的电压小于或等于第一电压阈值时通过控制第一开关导通对控制器进行无损自供电，在供电端的电压小于或等于第三电压阈值时通过同时控制恒流源和第一开关导通对控制器进行自供电的方式，不仅简化了控制器的供电电路，还提高了电路的供电效率。

本发明授权自供电芯片系统在权利要求书中公布了：1.一种自供电芯片系统，其特征在于，该系统应用于功率电路中，所述功率电路包括原边电路，所述原边电路包括原边绕组、J-FET上管以及NMOS下管，所述原边绕组的第一端接收输入电压，其第二端依次通过J-FET上管以及NMOS下管接地，所述J-FET上管的控制端耦接至地，所述J-FET上管以及所述NMOS下管之间通过第一节点耦接； 所述自供电芯片系统包括：芯片供电电容、恒流源、第一开关以及控制器，所述恒流源默认为通态； 所述芯片供电电容的第一端接地，其第二端分别通过所述恒流源以及所述第一开关耦接至所述第一节点，所述控制器的供电端耦接至所述芯片供电电容的第二端，其第一端耦接至所述恒流源的控制端，其第二端耦接至所述第一开关的控制端； 所述控制器被配置为用于：在所述供电端的电压到达启动电压时进入正常工作状态，并控制所述恒流源进入断态，所述启动电压小于所述J-FET上管的夹断电压； 在进入所述正常工作状态后，基于所述供电端的电压，控制所述恒流源的工作状态以及所述第一开关的通断，其中： 在所述供电端的电压小于或等于第一电压阈值时，控制所述第一开关导通，直至所述供电端的电压大于或等于第二电压阈值，所述启动电压大于所述第二电压阈值，所述第二电压阈值大于所述第一电压阈值； 在所述供电端的电压小于或等于第三电压阈值时，控制所述恒流源工作状态为通态，直至所述供电端的电压大于或等于第一电压阈值，所述第三电压阈值小于所述第一电压阈值。

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