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龙图腾网获悉青禾晶元(天津)半导体材料有限公司申请的专利一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120174487B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510653436.9，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用是由刘之鹏;刘福超;母凤文;郭超;谭向虎设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：（1）对供体衬底进行剥离层注入处理形成剥离层；（2）分别对底层衬底和供体衬底进行掩膜处理后，经离子注入处理分别在底层衬底和供体衬底上形成浮置结，得到改性底层衬底和改性供体衬底；（3）分别对改性底层衬底和改性供体衬底去胶处理后，将二者的离子注入面键合，经热处理剥离去除剥离层，得到半成品复合衬底；（4）对半成品复合衬底进行掩膜处理后进行离子注入，经去胶、退火得到所述碳化硅复合衬底。本发明所述碳化硅复合衬底无需进行多次外延，且制备过程中无需高能量注入便可形成较深的浮置结，大幅度降低制备成本、所需剂量和注入时间。

本发明授权一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅复合衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： （1）提供两个碳化硅衬底分别作为底层衬底和供体衬底，对供体衬底进行剥离层注入处理，在供体衬底的一侧表面上形成剥离层； （2）分别对底层衬底的一侧表面和供体衬底的剥离层的另一侧进行第一掩膜处理后，经第一离子注入处理分别在底层衬底的一侧表面和供体衬底的剥离层另一侧上形成浮置结，得到改性底层衬底和改性供体衬底； （3）分别对改性底层衬底和改性供体衬底进行第一去胶处理后，将改性底层衬底和改性供体衬底的离子注入面键合后，经热处理剥离去除剥离层，得到半成品复合衬底； （4）对半成品复合衬底被剥离的一侧表面进行第二掩膜处理后进行第二离子注入处理，得到改性半成品复合衬底，对所述改性半成品复合衬底进行第二去胶处理后，经退火得到所述碳化硅复合衬底； 其中，所述剥离层注入处理的离子注入能量≤第一离子注入处理的离子注入能量+第二离子注入处理的离子注入能量； 步骤（1）所述剥离层注入处理的离子注入能量为45keV~350keV，步骤（2）所述第一离子注入处理的离子注入能量为45keV~350keV，步骤（4）所述第二离子注入处理的离子注入能量为50keV~370keV； 所述第一掩膜处理和第二掩膜处理的位置及宽度完全相同，进而使得所述第一离子注入处理和第二离子注入处理形成的浮置结的位置完全相同； 所述键合包括将底层衬底及供体衬底进行注入面键合，键合时，通过mark点进行对位，保证底层衬底及供体衬底注入浮置结的位置匹配。

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