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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111934B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510587924.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及其制备方法是由黄艳丽;陈涛设计研发完成，并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：半导体衬底、栅极结构、第二导电类型的源区和漏区。半导体衬底内有第一导电类型的阱区；源区和漏区位于阱区的上表层；栅极结构位于阱区的上表面，漏区和源区在第一方向上分别位于栅极结构两侧，栅极结构包括依次层叠的栅介质层、半导体层及位于半导体层内的第二导电类型的第一掺杂区和第一导电类型的第二掺杂区，其中第二掺杂区在第一方向上的宽度小于第一掺杂区，第一、第二掺杂区分别位于栅极结构靠近漏区和源区的一侧，均位于半导体层的上表层，且分别具有第一预设深度和大于第一预设深度的第二预设深度。本发明的半导体结构及其制备方法可防止器件工作过程中预夹断，同时降低米勒平台时间。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底内具有第一导电类型的阱区； 第二导电类型的源区及第二导电类型的漏区，所述源区及所述漏区位于所述阱区的上表层； 栅极结构，位于所述阱区的上表面，且所述源区及所述漏区在第一方向上分别位于所述栅极结构两侧，所述栅极结构包括依次层叠的栅介质层及半导体层，且包括位于所述半导体层内的第二导电类型的第一掺杂区及第一导电类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区在所述第一方向上位于所述栅极结构的靠近所述漏区的一侧，所述第二掺杂区在所述第一方向上位于所述栅极结构的靠近所述源区的一侧，所述第一掺杂区在所述第一方向上的宽度大于所述第二掺杂区在所述第一方向上的宽度，所述第一掺杂区位于所述半导体层的上表层且具有第一预设深度，所述第二掺杂区位于所述半导体层的上表层且具有第二预设深度，所述第二预设深度大于第一预设深度，在所述第一方向与第二方向确定的平面上，所述第二掺杂区的截面面积为所述半导体层的截面面积的14~12，所述第二方向与所述第一方向相互垂直。

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