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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种基于混频磁场激励的磁粒子成像方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120114033B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510578654.0，技术领域涉及：A61B5/0515；该发明授权一种基于混频磁场激励的磁粒子成像方法是由钟景;孙世杰;孙少奇;徐立军;蔡荣;王永岩设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于混频磁场激励的磁粒子成像方法在说明书摘要公布了：本发明属于磁粒子成像技术领域，涉及一种基于混频磁场激励的磁粒子成像方法，包括：获取点状磁纳米粒子样品和待成像物，对点状磁纳米粒子样品和待成像物分别施加成像模式的混频激励磁场，获取基于混频磁场激励的系统矩阵和混合频率域磁化响应频谱信号；将系统矩阵和混合频率域磁化响应频谱信号输入浓度空间分布反演模型进行磁纳米粒子的浓度空间分布反演，获取待成像物中磁纳米粒子的浓度空间分布，并进行磁粒子浓度分布成像。本发明能够实现实时高分辨磁粒子成像。

本发明授权一种基于混频磁场激励的磁粒子成像方法在权利要求书中公布了：1.一种基于混频磁场激励的磁粒子成像方法，其特征在于，包括： 获取点状磁纳米粒子样品和待成像物； 获取所述点状磁纳米粒子样品和所述待成像物后包括： 设置成像模式和成像参数： 所述成像模式包括：第一模式和第二模式，所述第一模式为三维混合频率域维度，所述第二模式为将任意一个维度设置为空间域维度，其余维度设置为混合频率域维度； 所述成像参数包括：成像视野区域像素尺寸和混频激励磁场参数； 对所述点状磁纳米粒子样品和所述待成像物分别施加成像模式的混频激励磁场，获取基于混频磁场激励的系统矩阵和混合频率域磁化响应频谱信号； 所述成像模式的混频激励磁场表达式为： 其中，Hx、Hy、Hz为x轴、y轴和z轴方向的激励磁场幅值，fx、fy、fz为各维度的激励磁场的激励频率，为各维度激励磁场相位； 获取所述系统矩阵包括： 将所述点状磁纳米粒子样品置于成像视野区域内的初始位置，在所述初始位置的点状磁纳米粒子样品，施加三维混频激励磁场，获取所述初始位置处的混合频率域磁化响应； 获取所述初始位置处的混合频率域磁化响应过程中，高频磁场激励磁粒子产生高频倍频处磁化响应谐波，低频磁场激励磁粒子产生每个高频倍频两侧的混频磁化响应谐波； 调整所述点状磁纳米粒子样品在成像视野区域内的位置，施加目标时间的三维混频激励磁场，直到遍历所有像素位置，获取所有像素位置处的混合频率域磁化响应频谱，基于所有像素位置处的混合频率域磁化响应频谱，构建所述系统矩阵； 将所述系统矩阵和所述混合频率域磁化响应频谱信号输入浓度空间分布反演模型进行磁纳米粒子的浓度空间分布反演，获取所述待成像物中磁纳米粒子的浓度空间分布，并进行磁粒子浓度分布成像。

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