买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中科芯磁科技(珠海)有限责任公司申请的专利多路1T1R电阻网络的阻抗校准电路及其阻抗校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119652283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510173789.9，技术领域涉及：H03H17/00；该发明授权多路1T1R电阻网络的阻抗校准电路及其阻抗校准方法是由韩小炜;吴利华;赵凯;崔冰设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本多路1T1R电阻网络的阻抗校准电路及其阻抗校准方法在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，提供一种多路1T1R电阻网络的阻抗校准电路及其阻抗校准方法，其中，一种多路1T1R电阻网络的阻抗校准电路，包括正极阻抗校准模块、负极阻抗校准模块、用户阻抗校准模块及DCI调节模块，其特征在于，所述正极阻抗校准模块、负极阻抗校准模块及用户阻抗校准模块中均包含多路的RRAM网络结构；所述RRAM网络结构中具有多个支路RRAM结构组成；所述支路RRAM结构由多个改进RRAM单元组成，其中，所述改进RRAM单元由一个晶体管与一个RRAM单元串联组成。本发明可以在阻抗校准电路中，降低电阻分布的复杂性，且提高电路对于各种阻抗校准算法的适应性。

本发明授权多路1T1R电阻网络的阻抗校准电路及其阻抗校准方法在权利要求书中公布了：1.一种多路1T1R电阻网络的阻抗校准电路，包括正极阻抗校准模块、负极阻抗校准模块、用户阻抗校准模块及DCI调节模块，其中，所述1T1R是指1个晶体管和1个RRAM单元的串联结构，所述晶体管用于控制电流通断，所述正极阻抗校准模块及负极阻抗校准模块分别连接到所述DCI调节模块中的PAD上，其中，所述DCI调节模块包含一个PAD，所述用户阻抗校准模块分别连接DCI调节模块、正极阻抗校准模块及负极阻抗校准模块，所述用户阻抗校准模块用于当所述DCI调节模块判定所述正极阻抗校准模块及负极阻抗校准模块均不需要进行电阻连接状态的调节操作时，获取所述正极阻抗校准模块的正极阻抗调节信号，及获取负极阻抗校准模块的负极阻抗调节信号，其特征在于，所述正极阻抗校准模块及负极阻抗校准模块中均包含多路的RRAM网络结构，其中，所述RRAM网络结构用于作为一种可动态调节的电阻； 所述RRAM网络结构中具有多个支路RRAM结构组成，各个支路RRAM结构之间呈矩阵式分布关系，其中，所述呈矩阵式分布关系是指所述RRAM网络结构中包括多条平行的字线WL及多条垂直于字线WL的BL位线组，其中，所述BL位线组由平行的BL位线及BLN位线组成，每条BL位线组与每条的字线WL之间形成线段，每个所述线段上均连接一个改进RRAM单元，其中，所述改进RRAM单元的两端分别连接BL位线及BLN位线上与所述线段形成并联，所述改进RRAM单元中晶体管的栅极连接至所述线段； 所述支路RRAM结构由多个改进RRAM单元组成，其中，所述改进RRAM单元由一个晶体管与一个RRAM单元串联组成； 其中，所述正极阻抗校准模块中每一路的RRAM网络结构，包括两个PMOS，一个所述RRAM网络结构，组成PMOS-RRAM网络结构-PMOS的串联结构，电流方向依次是VCCO、PMOS、RRAM网络结构、PMOS及所述DCI调节模块中的PAD，其中，VCCO在所述正极阻抗校准模块中的RRAM网络结构的外部，所述正极阻抗校准模块用于对所述RRAM网络结构中的电阻连接状态进行调节，得到正极阻抗调节信号； 其中，所述负极阻抗校准模块中每一路的RRAM网络结构，包括两个NMOS，一个所述RRAM网络结构，组成NMOS-RRAM网络结构-NMOS的串联结构，电流方向依次是PAD、NMOS、RRAM网络结构、NMOS及接地，其中，接地在所述负极阻抗校准模块中的RRAM网络结构的外部，所述负极阻抗校准模块用于对所述RRAM网络结构中的电阻连接状态进行调节，得到负极阻抗调节信号； 其中，所述DCI调节模块，用于判定所述正极阻抗校准模块及负极阻抗校准模块是否需要进行电阻连接状态的调节操作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中科芯磁科技(珠海)有限责任公司，其通讯地址为：519070 广东省珠海市香洲区前河北路68号之环宇城写字楼7层08单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。