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龙图腾网获悉惠州市广大碳基半导体有限公司申请的专利一种碳化硅MOSFET的浪涌性能测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119758015B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510016032.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种碳化硅MOSFET的浪涌性能测试方法是由陈仁南;陈军楠设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅MOSFET的浪涌性能测试方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件测试技术领域，具体涉及一种碳化硅MOSFET的浪涌性能测试方法，包括：在不同浪涌电流峰值下对碳化硅MOSFET进行浪涌性能测试，获取各源漏电压向量；提取源漏电压向量的各IMF模态分量，分析各IMF模态分量的无规则复杂度，并根据各IMF模态分量内的突变点确定时域干扰度，通过各IMF模态分量在频域中的特征得到频域干扰度，计算各IMF模态分量的时频干扰度，筛选源漏电压向量中的目标分量，利用小波融合算法进行波形重构，通过对各源漏电压重构波形的对比，得到碳化硅MOSFET的最大浪涌电流。本申请可提高碳化硅MOSFET的浪涌性能测试结果准确性。

本发明授权一种碳化硅MOSFET的浪涌性能测试方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET的浪涌性能测试方法，其特征在于，包括以下步骤： 在不同浪涌电流峰值下对碳化硅MOSFET进行浪涌性能测试，并对每次测试过程中碳化硅MOSFET的源漏电压波形进行采样，得到每次测试过程中的源漏电压向量； 提取源漏电压向量的各IMF模态分量，分析各IMF模态分量内模态值的变化差异以及各IMF模态分量内模态值变化的混乱程度，确定各IMF模态分量的无规则复杂度，并根据各IMF模态分量内突变点的数量以及突变点之间的距离关系，得到各IMF模态分量的突变分布距离，结合所述无规则复杂度确定各IMF模态分量的时域干扰度； 通过各IMF模态分量在频域中所有频率的频域能量的平均水平以及频域能量的变化情况，得到各IMF模态分量的频域干扰度，结合各IMF模态分量的时域干扰度，以确定各IMF模态分量的时频干扰度； 基于各源漏电压向量所有IMF模态分量的时频干扰度，筛选各源漏电压向量中的目标分量，并利用小波融合算法进行波形重构，得到每次测试过程的源漏电压重构波形，通过对各源漏电压重构波形的对比，得到碳化硅MOSFET的最大浪涌电流； 所述各IMF模态分量的无规则复杂度的计算方法为： ，式中，为第d个IMF模态分量的无规则复杂度，和分别为第d个IMF模态分量的一阶差分向量的元素均值、二阶差分向量的元素均值，和分别为第d个IMF模态分量的一阶差分向量内所有元素的信息熵、二阶差分向量内所有元素的信息熵，为避免分母为0的常数。

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