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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119727336B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510008614.2，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的驱动电路是由陈定邦;王德明设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抑制SiCMOSFET桥臂串扰的驱动电路，其涉及电力电子技术领域，其技术方案要点是每个桥臂SiCMOSFET的栅极上均连接有推挽电路，推免电路与SiCMOSFET栅极之间并联有栅极电压钳位电路，所述推挽电路的两个场效应管G端连接有PWM1信号，PWM1信号与场效应管G端之间存在电隔离屏障б 1 ，场效应管D端连接至SiCMOSFET栅极，所述栅极电压钳位电路包括串联连接的电容C与辅助MOS管，辅助MOS管G端还连接有比较器电路；本发明易于集成，控制策略简单，不包括任何额外的控制信号。

本发明授权一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种抑制SiCMOSFET桥臂串扰的驱动电路，其特征在于，上下桥臂SiCMOSFET的栅极上均连接有推挽电路，推挽电路与SiCMOSFET栅极之间并联有栅极电压钳位电路，所述推挽电路的两个场效应管G端连接有PWM1信号，PWM1信号与场效应管G端之间存在电隔离屏障б 1 ，场效应管D端连接至SiCMOSFET栅极，所述栅极电压钳位电路包括串联连接的电容C与辅助MOS管，辅助MOS管G端还连接有比较器电路； 所述比较器电路包括放大模块，放大模块的输出端与辅助MOS管之间串联有电阻R5，电阻R5一端连接在辅助MOS管G端，另一端接入放大模块的输出端； 所述放大模块的正相输入端连接有PWM2信号，放大模块的反相输入端接入基准电压； 所述PWM2信号与正相输入端之间存在电隔离屏障б 2 ； PWM1信号经过电隔离屏障б 1 存在信号传输延迟，信号延迟传输后通过两个场效应管的S极输出，输出后与电容CH的一端连接，电容CH的另一端连接第一辅助MOS管的D极，第一辅助MOS管的S极接地，第一辅助MOS管的G极连接在电阻R5H的一端，电阻R5H的另一端连接在放大模块UH的输出端； PWM2信号经过电隔离屏障б 2 存在信号传输延迟，信号延迟传输后通过两个场效应管的S极输出，输出后与电容CL的一端连接，电容CL的另一端连接第二辅助MOS管的D极，第二辅助MOS管的S极接地，第二辅助MOS管的G极连接在电阻R5L的一端，电阻R5L的另一端连接在放大模块UL的输出端； 上桥臂包括：开关QH、电感LgH； 下桥臂包括：开关QL、电感LgL； 开关QH的栅极连接寄生电阻RgHin的一端，寄生电阻RgHin的另一端与电感LgH的一端连接，电感LgH另一端与电容CH的一端连接； 开关QL的栅极连接寄生电阻RgLin的一端，寄生电阻RgLin的另一端与电感LgL的一端连接，电感LgL另一端与电容CL的一端连接。

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