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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种用于增强现实显示的集成光学芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119575546B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411818875.2，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权一种用于增强现实显示的集成光学芯片及其制备方法是由余华;蒋平;陈冠宇;贺从勇;葛邦同设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于增强现实显示的集成光学芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于增强现实显示的集成光学芯片及其制备方法，属于光电子学与显示技术领域。所述集成光学芯片包括第一端面耦合器、第二端面耦合器和第三端面耦合器，所述第一端面耦合器、第二端面耦合器和第三端面耦合器后均顺次设有2×2多模干涉耦合器、微环滤波器、1×2多模干涉耦合器、层间耦合器、薄膜铌酸锂移相器、移相器控制电极和光栅天线阵列结构；其中，所述第一端面耦合器用以将外部红色激光耦合进入芯片中，所述第二端面耦合器用以将外部蓝色激光耦合进入芯片中，所述第三端面耦合器用以将外部绿色激光耦合进入芯片中。本技术方案用以解决现有技术中的显示系统难以同时满足轻薄化、低功耗和高分辨率的要求的问题。

本发明授权一种用于增强现实显示的集成光学芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于增强现实显示的集成光学芯片，其特征在于：所述集成光学芯片包括第一端面耦合器1、第二端面耦合器9和第三端面耦合器10，所述第一端面耦合器1、第二端面耦合器9和第三端面耦合器10后均顺次设有2×2多模干涉耦合器2、微环滤波器3、3个1×2多模干涉耦合器4、层间耦合器5、薄膜铌酸锂移相器6、移相器控制电极8和光栅天线阵列结构7； 其中，所述第一端面耦合器1用以将外部红色激光耦合进入芯片中，所述第二端面耦合器9用以将外部蓝色激光耦合进入芯片中，所述第三端面耦合器10用以将外部绿色激光耦合进入芯片中；所述2×2多模干涉耦合器2作为分光器件，用以将输入的激光传递至微环滤波器3中，且将经过微环滤波器3中的激光传递至下一级；所述微环滤波器3用以对输入的激光进行滤波；3个所述1×2多模干涉耦合器4作为功率分配器，将输入的激光分为多束；所述层间耦合器5用以将氮化硅波导中的激光，耦合到薄膜铌酸锂的波导中；所述移相器控制电极8为薄膜铌酸锂移相器6的输入引脚，用以改变薄膜铌酸锂移相器6的输入电压；所述薄膜铌酸锂移相器6通过电光效应改变波导中的相位，达到移相的目的，所述光栅天线阵列结构7通过算法计算稀布阵列中各个天线的具体位置，从而得出光束扫描的最优视场角和束散角。

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