哈尔滨工业大学张甲获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种基于In2Se3/InSe垂直异质结的压电型气压传感器及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119533751B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411710150.1，技术领域涉及：G01L9/08；该发明授权一种基于In2Se3/InSe垂直异质结的压电型气压传感器及其制备方法与应用是由张甲;梁帅;李松霖;安煦阳设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于In2Se3/InSe垂直异质结的压电型气压传感器及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于In2Se3InSe垂直异质结的压电型气压传感器及其制备方法与应用，属于传感仪器构建技术领域。本发明以In2Se3InSe垂直异质结薄膜作为气压敏感层制备了压电型气压传感器，气压带来的应力变化将改变In2Se3InSe垂直异质结的能带结构，从而产生压电电压。这一变化可以通过电荷放大器检测其电压变化来进行监测，从而实现对微小气压变化的高灵敏度响应。本发明的压电型气压传感器体积小、灵敏度高，为高精度气压检测提供了一种简单、灵敏且稳定的设备及检测方法。
本发明授权一种基于In2Se3/InSe垂直异质结的压电型气压传感器及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种基于In2Se3InSe垂直异质结的压电型气压传感器，其特征在于，包括第一电绝缘层、衬底、第二电绝缘层、底电极、气压敏感层、顶电极和位于所述气压敏感层侧面的侧电极；其中，所述第一电绝缘层和所述第二电绝缘层分别设置在所述衬底两侧，所述底电极镶嵌在所述第二电绝缘层上表面；所述气压敏感层设置在所述底电极和所述第二电绝缘层的上表面，所述顶电极设置在所述气压敏感层的上表面； 所述气压敏感层为In2Se3InSe垂直异质结薄膜； 所述衬底和所述第二电绝缘层上设置有贯穿的微纳米级阵列化凹腔。
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