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龙图腾网获悉广州市艾佛光通科技有限公司申请的专利一种高电学性能体声波谐振器、制备方法和体声波滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119602739B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411714801.4，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种高电学性能体声波谐振器、制备方法和体声波滤波器是由张伟军;李国强;衣新燕设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高电学性能体声波谐振器、制备方法和体声波滤波器在说明书摘要公布了：本申请涉及体声波谐振器技术领域，具体提供了一种高电学性能体声波谐振器、制备方法和体声波滤波器，该方法包括步骤：在第一衬底上依次形成缓冲层、压电层和图形化顶电极；在图形化顶电极外形成盲孔；在图形化顶电极顶面形成第一互连线和通过填充盲孔在压电层顶面形成第二互连线；在第一互连线和第二互连线上键合第二衬底；将刻蚀组合体倒置，然后对第一衬底进行刻蚀；在凹槽内形成图形化底电极，然后在第一衬底上贴装覆膜层；去除第二衬底，然后通过第一互连线和第二互连线将体声波谐振器固定在封装基板上；该方法能够有效地解决体声波谐振器的薄膜在释放牺牲层的过程中发生鼓膜或开裂以及体声波谐振器的部分能量泄漏的问题。

本发明授权一种高电学性能体声波谐振器、制备方法和体声波滤波器在权利要求书中公布了：1.一种高电学性能体声波谐振器制备方法，其特征在于，所述高电学性能体声波谐振器制备方法包括： S1、在第一衬底上依次形成缓冲层、压电层和图形化顶电极，所述图形化顶电极部分覆盖所述压电层； S2、在所述图形化顶电极外形成贯穿所述压电层和所述缓冲层且在第一衬底上的深度大于0的盲孔； S3、在所述图形化顶电极顶面形成第一互连线和通过填充所述盲孔在所述压电层顶面形成第二互连线，所述第二互连线位于所述图形化顶电极外； S4、在所述第一互连线和所述第二互连线上键合第二衬底，以得到刻蚀组合体，所述第二衬底与所述图形化顶电极之间存在间隙； S5、将所述刻蚀组合体倒置，然后对所述第一衬底进行刻蚀，以在所述第一衬底上形成使所述缓冲层和所述第二互连线外露的凹槽； S6、在所述凹槽内形成与所述第二互连线连接且顶面高度小于第一衬底的顶面高度的图形化底电极，然后在所述第一衬底上贴装覆膜层，以形成体声波谐振器； S7、去除所述第二衬底，然后通过所述第一互连线和所述第二互连线将所述体声波谐振器固定在封装基板上和对所述体声波谐振器进行塑封。

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