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龙图腾网获悉湖北工业大学申请的专利一种基于物理不可克隆电路的电芯防伪认证方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119496622B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411701104.5，技术领域涉及：H04L9/32；该发明授权一种基于物理不可克隆电路的电芯防伪认证方法是由贺章擎;张李梦露;汪子超;姜久春;路耀岩;魏彦泽设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于物理不可克隆电路的电芯防伪认证方法在说明书摘要公布了：本发明涉及信息安全和通信技术领域，且公开了一种基于物理不可克隆电路的电芯防伪认证方法，电池管理系统包括有A模块、B模块和C模块，A模块包括有Server单元，B模块包括有MCU微控制单元，C模块包括有电芯管理芯片IC单元，电芯管理芯片IC单元内部嵌有PUF软模型，本方法分为注册阶段S1、双向认证阶段S2与密钥更新阶段S3；该方法充分利用菊花链通信中的广播命令和回传机制，结合物理不可克隆函数实现了对电芯管理芯片IC和MCU微控制单元的双向认证，电芯管理芯片IC内部只需要集成一个物理不可克隆函数和一个轻量级的密钥散列算法，3次广播命令就可以实现MCU微控制单元和多至256个电芯之间的双向认证，并确保了极高的安全性。

本发明授权一种基于物理不可克隆电路的电芯防伪认证方法在权利要求书中公布了：1.一种基于物理不可克隆电路的电芯防伪认证方法，其特征在于： 所述认证方法应用于电池管理系统中； 所述电池管理系统包括有A模块、B模块和C模块； 所述A模块包括有Server单元； 所述B模块包括有MCU微控制单元； 所述C模块包括有电芯管理芯片IC单元，所述电芯管理芯片IC单元内部嵌有PUF软模型； 本方法分为注册阶段S1、双向认证阶段S2与密钥更新阶段S3； 所述双向认证阶段S2的具体步骤为： S2.1：MCU微控制单元生成认证请求Rq，并发送给C模块中每个电芯管理芯片IC； S2.2：C模块中的电芯管理芯片IC1生成一个随机序列S,并回传给MCU微控制单元； S2.3：B模块中MCU微控制单元接收到随机序列S后，生成随机序列C作为激励，将随机序列C发生给A模块的Server单元； S2.4：A模块中的Server单元接收到随机序列C后，将随机序列C作为激励部署在Server单元的每个PUF的软模型PUF´i，由软模型PUF´i输出对应的响应R´i，最后对响应R´i进行无密钥哈希运算得到对应的哈希值，随后Server单元将产生的哈希值M´i发送给MCU微控制单元； S2.5：C模块中每个电芯管理芯片IC利用密钥K对随机序列S进行哈希运算得到哈希值M´v，将哈希值M´v、随机序列C与随机序列S发送给电芯管理芯片IC1； S2.6：电芯管理芯片IC1接收到哈希值M´v、随机序列C与随机序列S后，向电芯管理芯片IC2发送哈希值M´v、随机序列C与随机序列S，并读取随机序列S与密钥K，计算出哈希值HashKS，对比哈希值HashKS与哈希值M´v是否相等，是则进入步骤S2.7，否则认证失败，结束； S2.7：电芯管理芯片IC1成功完成对MCU微控制单元的认证，将随机序列C作为激励输入电芯管理芯片IC1的PUF1，生成对应的响应R1，并计算响应R1的哈希值M1，将哈希值M1发送给MCU微控制单元； S2.8：后续每级电芯管理芯片IC接收到哈希值M´v、随机序列C与随机序列S后，读取密钥K，对接收到的随机序列S后进行计算出哈希值HashKS，对比哈希值HashKS与哈希值M´v是否相等，是则进入步骤S2.9，否则认证失败，结束； S2.9：将随机序列C作为激励输入到PUF2至PUFn，并生成各电芯管理芯片IC的响应Rj，然后对响应Rj进行哈希运算得到对应的哈希值Mj,j∈[2,N]，最后将各自生成的哈希值Mj，并回传给MCU微控制单元； S2.10：判断哈希值M´1是否与哈希值M1相等、哈希值M´2是否与哈希值M2相等，直到判断哈希值M´n是否与哈希值Mn相等，逐级判断，是则Server单元完成对电芯管理芯片IC的认证,否则认证失败，结束。

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