曲阜师范大学杨兵超获国家专利权
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龙图腾网获悉曲阜师范大学申请的专利三磷化锗纳米片的制备方法及三磷化锗薄膜的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119551636B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411717978.X，技术领域涉及：C01B25/08；该发明授权三磷化锗纳米片的制备方法及三磷化锗薄膜的应用是由杨兵超;陈欣;刘晓兵;孙海瑞;闫苗苗;孙秀杰设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本三磷化锗纳米片的制备方法及三磷化锗薄膜的应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三磷化锗纳米片的制备方法，属于电极材料制备技术领域。本发明包括步骤1、将红磷粉和锗粉形成的混合粉末进行预压，得到预压体；步骤2、将步骤1制备的预压体，进行高温高压烧结，得到体相三磷化锗；步骤3、将步骤2制备的体相三磷化锗作为电极，置于电解池中；步骤4、对步骤3的电极施加电压或电流对三磷化锗进行插层解离；步骤5、对步骤4中进行电化学解离后的电解液进行离心，收集上清液得到三磷化锗纳米片。本发明利用高温高压技术结合电化学解离技术制备出大量高纯且微米级三磷化锗纳米片。
本发明授权三磷化锗纳米片的制备方法及三磷化锗薄膜的应用在权利要求书中公布了：1.一种三磷化锗纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、将红磷粉和锗粉形成的混合粉末进行预压，得到预压体； 步骤2、将步骤1制备的预压体，进行高温高压烧结，得到体相三磷化锗； 步骤3、将步骤2制备的体相三磷化锗作为电极，置于电解池中； 步骤4、对步骤3的电极施加电压或电流对三磷化锗进行插层解离； 步骤5、对步骤4中进行电化学解离后的电解液进行离心，收集上清液得到三磷化锗纳米片； 步骤2中，高温高压烧结条件为：高压为2GPa，烧结温度为600℃。
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