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武汉大学蒋风雷获国家专利权

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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种利用溶剂挥发测量量子点表面-配体之间热力学数据的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119574517B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411672591.7,技术领域涉及:G01N21/64;该发明授权一种利用溶剂挥发测量量子点表面-配体之间热力学数据的方法是由蒋风雷;金诣柔;刘梦;郭子轩设计研发完成,并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

一种利用溶剂挥发测量量子点表面-配体之间热力学数据的方法在说明书摘要公布了:本发明涉及材料及物理化学领域,具体涉及一种利用溶剂挥发测量量子点表面‑配体之间热力学数据的方法,包括以下步骤:配置一定浓度的配体修饰的量子点有机溶剂溶液,静置至荧光强度稳定;测定所述有机溶剂在目标温度下的挥发速率;在同一环境中,将配置好的量子点有机溶剂溶液进行挥发,并实时检测量子点的荧光强度,得到实时的荧光强度随时间变化的荧光强度‑时间曲线;将得到的荧光强度‑时间曲线通过荧光强度‑溶剂挥发‑量子产率的关系换算得到在t时刻配体密度和量子点量子产率之间的数据关系,进而能够采用数据关系通过修正的KSV方程得到热力学数据。本发明的方法简单、准确具有实际的可操作性。

本发明授权一种利用溶剂挥发测量量子点表面-配体之间热力学数据的方法在权利要求书中公布了:1.一种利用溶剂挥发测量量子点表面-配体之间热力学数据的方法,其特征在于:包括以下步骤: (1)配置一定浓度的配体修饰的量子点有机溶剂溶液,静置至荧光强度稳定; (2)测定所述有机溶剂在目标温度下的挥发速率; (3)在同一环境中,将配置好的量子点有机溶剂溶液进行挥发,并实时检测量子点的荧光强度,得到实时的荧光强度随时间变化的荧光强度-时间曲线; (4)将得到的荧光强度-时间曲线通过荧光强度-溶剂挥发-量子产率的关系换算得到在t时刻配体密度和量子点量子产率之间的数据关系,进而能够采用数据关系通过修正后的KSV方程得到热力学数据; 步骤(4)中,修正前的KSV方程为:, 其中F0为材料的初始荧光强度,FT是随着时间t后的荧光强度,[Q]是相应底物的浓度; 由于荧光产生和猝灭的机理有所不同,引入荧光校正系数fa对Ksv方程进行修正,则修正好的Ksv方程为: ; 式中,Ka是结合常数,F0F0-Ft对[Q]-1进行线性拟合,斜率为faKa-1,截距为fa -1,结合常数Ka为截距与斜率的商。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人武汉大学,其通讯地址为:430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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