武汉大学熊泽畅获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种可激发纯横波的ZnO压电涂层材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119615085B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411673313.3，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种可激发纯横波的ZnO压电涂层材料及其制备方法和应用是由熊泽畅;姜杨慧;杨兵;张俊设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可激发纯横波的ZnO压电涂层材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可激发纯横波的ZnO压电涂层材料及其制备方法和应用，属于涂层材料领域。所述方法包括：以Zn作为靶材，通过磁控溅射在基体表面沉积ZnO作为ZnO压电功能层；所述磁控溅射中，溅射温度为200℃以上，通入氩气和氧气的混合气体至腔体内气压为1.0~2.5Pa，溅射功率为400~700W，溅射时间为3~6h；或，所述磁控溅射中，溅射温度为50~200℃，通入氩气和氧气的混合气体至腔体内气压为1.0~2.5Pa，偏压为‑100V~‑200V，溅射功率为400~700W，溅射时间为3~6h。本发明采用磁控溅射技术在基体表面沉积ZnO作为ZnO压电功能层，通过调节磁控溅射过程中的溅射温度或偏压，制备出可激发超声纯横波的ZnO压电涂层材料，实现对工件厚度细微变化的测量。
本发明授权一种可激发纯横波的ZnO压电涂层材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种可激发纯横波的ZnO压电涂层材料的制备方法，其特征在于，包括： 以Zn作为靶材，控制基体的位置正对靶材的中心，通过磁控溅射在基体表面沉积ZnO作为ZnO压电功能层； 所述磁控溅射中，溅射温度为210~250℃，通入氩气和氧气的混合气体至腔体内气压为1.0~2.5Pa，氩气和氧气的流量比为1:1，溅射功率为400~700W，溅射时间为3~6h； 或，所述磁控溅射中，溅射温度为50~200℃，通入氩气和氧气的混合气体至腔体内气压为1.0~2.5Pa，氩气和氧气的流量比为1:1，偏压为-100V~-200V，溅射功率为400~700W，溅射时间为3~6h。
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