新存科技(武汉)有限责任公司陈彬获国家专利权
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龙图腾网获悉新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利存储器及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119479736B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411647488.7，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权存储器及其操作方法是由陈彬;杨红心;周凌珺;殷然;刘峻设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其操作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种存储器及其操作方法。该存储器包括：多个存储单元以及耦接多个存储单元的延迟电路；多个存储单元包括处于第一存储状态的第一存储单元和处于第二存储状态的第二存储单元，第二存储状态对应的阈值电压大于第一存储状态对应的阈值电压；延迟电路被配置为：对施加至第一存储单元的读取电压脉冲进行延迟，以使得第一存储状态对应的阈值电压增加；对施加至第二存储单元的读取电压脉冲进行延迟，以使得第二存储状态对应的阈值电压增加；其中，第二存储状态对应的阈值电压增量大于第一存储状态对应的阈值电压增量。
本发明授权存储器及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 多个存储单元，所述多个存储单元包括处于第一存储状态的第一存储单元和处于第二存储状态的第二存储单元，所述第二存储状态对应的阈值电压大于所述第一存储状态对应的阈值电压； 延迟电路，所述延迟电路耦接所述多个存储单元；所述延迟电路被配置为： 对施加至所述第一存储单元的读取电压脉冲进行延迟，以使得所述第一存储状态对应的阈值电压增加； 对施加至所述第二存储单元的所述读取电压脉冲进行延迟，以使得所述第二存储状态对应的阈值电压增加；其中，所述第二存储状态对应的阈值电压增量大于所述第一存储状态对应的阈值电压增量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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