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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种取向可调控的单斜相二氧化铪薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119465078B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411608270.0，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权一种取向可调控的单斜相二氧化铪薄膜及其制备方法是由章嵩;李宝文;孙在春;涂溶;张联盟设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种取向可调控的单斜相二氧化铪薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种取向可调控的单斜相二氧化铪薄膜及其制备方法，属于薄膜材料技术领域。其制备：采用双温区热壁水平式化学气相沉积装置，将前驱体置于沉积装置中第一温区，将单晶硅基板置于沉积装置中第二温区；抽真空后加热，第一温区目标温度为190‑210℃，第二温区目标温度为500‑1100℃，控制两者以相同时间到达目标温度；即将到达目标温度时，通入反应气至目标压强100‑2000Pa，将第一温区的前驱体蒸气用反应气输送至第二温区硅基底表面进行反应，反应气的流量为10‑500sccm，反应结束即得单斜相二氧化铪薄膜。该方法可稳定调控单斜相二氧化铪薄膜取向，制备的薄膜结构连续均匀，厚度可控。

本发明授权一种取向可调控的单斜相二氧化铪薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种取向可调控的单斜相二氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1）采用双温区热壁水平式化学气相沉积装置，将前驱体置于沉积装置中第一温区，将单晶硅基板置于沉积装置中第二温区； 2）抽真空至10Pa以下，开始加热，其中第一温区的目标温度为190-210℃，第二温区的目标温度为500-1100℃，控制第一温区和第二温区以相同的时间到达目标温度；在即将到达目标温度前50-70s，通入反应气至目标压强100-2000Pa，将第一温区的前驱体蒸气用反应气输送至第二温区硅基底表面进行反应，反应气的流量为10-500sccm，反应结束即得取向可调控的单斜相二氧化铪薄膜；其中： 第一温区目标温度为203-210℃，第二温区目标温度为500-800℃，目标压强为600-2000Pa，反应气流量为300-500sccm时，得（111）取向结构的薄膜；第一温区目标温度为190-196℃，第二温区目标温度为900-1100℃，目标压强为100-400Pa，反应气流量为10～150sccm时得（100）取向结构的薄膜。

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