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龙图腾网获悉天芯电子科技(南京)有限公司申请的专利一种嵌入式TMV封装结构的MEMS芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223316406U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422739338.0，技术领域涉及：B81B7/00；该实用新型一种嵌入式TMV封装结构的MEMS芯片是由赵子明;陈一杲;王春华;陈诚设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种嵌入式TMV封装结构的MEMS芯片在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种嵌入式TMV封装结构的MEMS芯片。该嵌入式TMV封装结构的MEMS芯片通过设计倒装MEMS芯片沿垂直方向堆叠在ASIC芯片的正面，并使用塑封料对芯片空隙进行填充，通过TMV工艺对塑封料打孔填铜，从而形成了焊盘引脚的结构，实现了MEMS芯片以焊盘引脚的方式与外界导通。该设计通过使用TMV工艺的方式使用了塑封料进行填充，大大提升了芯片的抗应力，使得芯片结构更加稳定；通过TMV工艺对塑封料打孔填铜形成的焊盘引脚，使得MEMS芯片有了类似于LGA封装的嵌入式效果，可以随时对主机放入取出，提升了便利性；通过MEMS芯片倒装焊接在ASIC芯片的表面，使得电性的传输速率增加，提升了产品的电性能。

本实用新型一种嵌入式TMV封装结构的MEMS芯片在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式TMV封装结构的MEMS芯片，包括ASIC芯片11，MEMS芯片21以及塑封料31，其特征在于： MEMS芯片沿垂直方向焊接在ASIC芯片的正面，包括MEMS芯片21、MEMS功能层211、MEMS焊接铜柱212、ASIC芯片11、TMV通孔铜柱12、背胶13、ASIC功能层111、ASIC钝化层112、ASIC焊盘113，MEMS功能层211形成于MEMS芯片21的正面；MEMS焊接铜柱212的底端生长于MEMS功能层211的正面，MEMS焊接铜柱212的顶端焊接在ASIC焊盘113的正面；TMV通孔铜柱12生长于ASIC功能层111的正面；背胶13粘合在ASIC芯片11的背面，用于散热；ASIC功能层111形成于ASIC芯片11的正面；ASIC钝化层112形成于ASIC功能层111的表面，并留有ASIC焊盘113，用于与MEMS芯片21焊接；塑封料31填充在ASIC钝化层112的正面，并包裹住MEMS芯片21、MEMS功能层211、MEMS焊接铜柱212、TMV通孔铜柱12；焊盘32生长在TMV通孔铜柱12末端，并裸露在塑封料31外。

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