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湖北长江万润半导体技术有限公司赵周星获国家专利权

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龙图腾网获悉湖北长江万润半导体技术有限公司申请的专利利用擦除时间测试闪存介质温区分布的方法和存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119495352B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411562191.0,技术领域涉及:G11C29/56;该发明授权利用擦除时间测试闪存介质温区分布的方法和存储介质是由赵周星;张杰;吴国骏;李四林设计研发完成,并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

利用擦除时间测试闪存介质温区分布的方法和存储介质在说明书摘要公布了:本发明公开了一种利用擦除时间测试闪存介质温区分布的方法和存储介质,包括:在连续变温的环境中,命令闪存介质按照预设的周期擦除数据并采样擦除时间,统计采样区间内的平均擦除时间,根据温度变化趋势取最大或最小擦除时间;根据所述平均擦除时间和最大或最小擦除时间计算擦除时间变化率R值,判断该采样区间处于变化温区还是稳定温区;对处于稳定温区的采样区间,若采样次数达到预设值,则停止采样;查找出所有的稳定温区后停止采样,记录进入各稳定温区对应的擦除时间;根据待测闪存介质的擦除时间,判断该待测闪存介质所处的温度区间类型。本发明能根据闪存介质的擦除时间来判断其所处的温区类型。

本发明授权利用擦除时间测试闪存介质温区分布的方法和存储介质在权利要求书中公布了:1.一种利用擦除时间测试闪存介质温区分布的方法,其特征在于,包括: 在连续变温的环境中,命令闪存介质按照预设的周期擦除数据并采样擦除时间,统计采样区间内的平均擦除时间,根据温度变化趋势取最大或最小擦除时间; 根据所述平均擦除时间和最大或最小擦除时间计算擦除时间变化率R值,判断该采样区间处于变化温区还是稳定温区;对处于稳定温区的采样区间,若采样次数达到预设值,则停止采样; 查找出所有的稳定温区后停止采样,记录进入各稳定温区对应的擦除时间; 根据待测闪存介质的擦除时间,判断该待测闪存介质所处的温度区间类型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人湖北长江万润半导体技术有限公司,其通讯地址为:430081 湖北省武汉市青山区建设二路1号武钢数字大厦9F;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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