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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种具有自对准效应的自激发光刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119065212B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411540305.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种具有自对准效应的自激发光刻方法是由张利斌;芮定海;韦亚一;粟雅娟设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有自对准效应的自激发光刻方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有自对准效应的自激发光刻方法，涉及半导体工艺技术领域。在第一次光刻处理时使用第一掩模版仅仅是为了定义出第二次光刻处理时的有效光刻区域，因此第一掩模版可以使用尺寸较大的掩模版，极大程度的降低了第一掩模版的制造难度；由于第一金属层和第二金属层均为负折射率材料层，且二者之间的第二光刻胶层存在厚度差异，在基于平行光的波长仿真优化膜层厚度以及凸起结构的宽度之后，可实现在凸起结构对应区域内的分辨率增强，实现了只对凸起结构对应区域具有自激发效果的自对准光刻图形成像效果。并且在第二次光刻处理时并没有使用掩模版，也进一步降低了工艺难度。

本发明授权一种具有自对准效应的自激发光刻方法在权利要求书中公布了：1.一种具有自对准效应的自激发光刻方法，其特征在于，所述具有自对准效应的自激发光刻方法包括： 提供一待处理结构，所述待处理结构包括衬底，以及位于所述衬底一侧的第一光刻胶层； 基于第一掩模版对所述第一光刻胶层进行第一次光刻处理以及图形转移处理，在所述衬底上形成多个凹槽结构，相邻两个所述凹槽结构之间具有凸起结构； 依次制备薄膜层以及第一金属层，位于所述凹槽结构底部的薄膜层以及第一金属层与位于所述凸起结构表面的薄膜层以及第一金属层具有高度差； 在所述第一金属层背离所述衬底的一侧形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层背离所述衬底一侧的表面与所述衬底所在平面平行； 在所述第二光刻胶层背离所述衬底的一侧形成第二金属层，所述第二金属层背离所述衬底一侧的表面与所述衬底所在平面平行；所述第一金属层和所述第二金属层为负折射率材料层； 确定具有干涉属性的平行光的波长，基于所述平行光的波长仿真优化膜层厚度以及所述凸起结构的宽度之后，在所述平行光从所述第二金属层背离所述衬底的一侧照射进行第二次光刻处理时，对位于所述凸起结构表面上的第二光刻胶层进行自激发选择性光刻，形成目标图形； 将所述目标图形转移至所述衬底上。

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