中国科学院上海微系统与信息技术研究所张伟君获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种超导微米线单光子探测器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411542216.0，技术领域涉及：H10N60/82；该发明授权一种超导微米线单光子探测器件及其制备方法是由张伟君;王钰泽;熊佳敏;黄佳;尤立星设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超导微米线单光子探测器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超导微米线单光子探测器件及其制备方法，通过刻蚀超导微米线的直线部，形成具有一定宽度和深度的直凹槽区和过渡区，同时，控制直凹槽区的刻蚀深度，使得该区域的临界电流低于弯角区的临界值，有效缓解弯角区因高占空比造成的“电流拥挤效应”。本发明能够提升超导微米线的量子效率，且结构简单，实现工艺便捷，易于拓展成具有大光敏面积的探测器，在量子光学、激光测距、暗物质探测等领域具有潜在的应用前景。
本发明授权一种超导微米线单光子探测器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超导微米线单光子探测器件，其特征在于，所述单光子探测器件至少包括： 衬底及形成于所述衬底上的超导微米线，所述超导微米线包括多个直线部及弯角区； 其中，所述弯角区与相邻的所述直线部首尾依次连接且所述弯角区的线条宽度不小于所述直线部的线条宽度，所述直线部上形成有直凹槽区和过渡区，所述直线部的长度与所述直凹槽区和所述过渡区两者的长度和的差值至少大于所述超导微米线的伦敦穿透深度的两倍，所述过渡区的形状为椭圆形，且所述过渡区的长轴与短轴的比值为1.5~4，所述直凹槽区的宽度大于所述直线部宽度的二分之一，所述直凹槽区的上边缘与对应的所述直线部的上边缘之间具有第一距离，所述直凹槽区的下边缘与对应的所述直线部的下边缘之间具有第二距离，所述第一距离和所述第二距离均大于所述超导微米线的伦敦穿透深度。
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