深圳市和科达半导体设备有限公司谢柏弘获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市和科达半导体设备有限公司申请的专利晶圆边缘倒角切割清洗方法及切割清洗装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601462B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411521882.6，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权晶圆边缘倒角切割清洗方法及切割清洗装置是由谢柏弘;何若飞;赖建华;陈伯诚设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆边缘倒角切割清洗方法及切割清洗装置在说明书摘要公布了：一种晶圆切割清洗装置包括机体（10）、切割工位台（20）、旋转机构（30）、移动架（40）以及蚀刻系统（50）、水刀系统（60）以及风刀系统（70），这种晶圆边缘倒角制作方法是先将晶圆固定在加工位上，启动加工位旋转机构旋转晶圆；将蚀刻液喷嘴移至晶圆边缘附近，向晶圆边缘喷射蚀刻液；将高压水喷嘴移至先前喷洒了蚀刻液的晶圆边缘附近，开启高压水刀，按预定角度向晶圆被蚀刻位置进行喷射切割；然后启动与高压水喷嘴安装在一起的高压风刀，同样按照预定的角度对水刀切割的表面进行进一步喷射切割修边；将晶圆送入清洗工位，进行后期清洗。本发明可以使得倒角加工过程中保证切割角度的精确，并且，可以有效保护晶片的完整和内部组织的完好。
本发明授权晶圆边缘倒角切割清洗方法及切割清洗装置在权利要求书中公布了：1.一种晶圆边缘倒角切割清洗方法，其特征在于：该方法包括以下步骤： a.首先将晶圆固定在加工位上，启动加工位旋转机构旋转晶圆，所述旋转机构随蚀刻液喷嘴逐步向边缘移动而转速递减，步骤b中蚀刻液喷洒量也随喷嘴向边缘移动而增大； b.将蚀刻液喷嘴移至晶圆边缘附近，向晶圆边缘喷射蚀刻液； c.待蚀刻液停留在晶圆表面一段时间后，将高压水喷嘴移至先前喷洒了蚀刻液的晶圆边缘附近，开启高压水刀，按预定角度向晶圆被蚀刻位置进行喷射切割； d.在步骤C完成后，启动与高压水喷嘴安装在一起的高压风刀，同样按照预定的角度对水刀切割的表面进行进一步喷射切割修边； e.将晶圆送入清洗工位，进行后期清洗。
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