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龙图腾网获悉芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司申请的专利一种功率模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223321970U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422561462.2，技术领域涉及：H02M1/00；该实用新型一种功率模块是由何杨;姚玉双;范成栋;杨清;张帆;闵晨设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率模块在说明书摘要公布了：本申请公开了一种功率模块，包括外壳和多个基板。外壳包括底壳和上盖。多个基板位于底壳上。其中每一个基板包括第一器件区和第二器件区。第一器件区包括第一和第二宽带隙材料MOSFET器件、第一和第二IGBT器件、第一和第二FRD器件。其中第一IGBT器件和第一FRD器件沿着相应的基板的第一长边相邻排列，第二IGBT器件和第二FRD器件沿着相应的基板的第二长边相邻排列。第二器件区包括第三和第四宽带隙材料MOSFET器件、第三和第四IGBT器件、第三和第四FRD器件。其中第三IGBT器件和第三FRD器件沿着相应的基板的第一长边相邻排列，第四IGBT器件和第四FRD器件沿着相应的基板的第二长边相邻排列。

本实用新型一种功率模块在权利要求书中公布了：1.一种功率模块，其特征在于，包括： 外壳，包括底壳、上盖和框架，所述底壳和上盖覆合，中间形成容纳器件的腔体；以及 基板，包括第一基板、第二基板和第三基板，所述第一基板、第二基板和第三基板位于所述底壳上，相互间具有空隙； 其中第一基板、第二基板和第三基板具有相同尺寸的长方形，所述第一基板、第二基板和第三基板中的每一个沿着长边依次分布有交流功率区，第一器件区、第二器件区和直流功率区，所述第一基板、第二基板和第三基板中的每一个包括： 第一开关单元，分布在第一器件区，包括第一宽带隙材料MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor、第二宽带隙材料MOSFET器件、第一IGBTInsulatedGateBipolarTransistor器件、第二IGBT器件、第一FRDFastRecoveryDiode器件和第二FRD器件，其中第一IGBT器件和第一FRD器件沿着相应的基板的第一长边相邻排列，第二IGBT器件和第二FRD器件沿着相应的基板的第二长边相邻排列；以及 第二开关单元，分布在第二器件区，包括第三宽带隙材料MOSFET器件、第四宽带隙材料MOSFET器件、第三IGBT器件、第四IGBT器件、第三FRD器件和第四FRD器件，其中第三IGBT器件和第三FRD器件沿着相应的基板的第一长边相邻排列，第四IGBT器件和第四FRD器件沿着相应的基板的第二长边相邻排列。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司，其通讯地址为：310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-608；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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