扬州新瑞光电科技有限公司蔡鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州新瑞光电科技有限公司申请的专利一种双隧穿光电转化半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223322367U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422492160.4，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型一种双隧穿光电转化半导体器件是由蔡鹏;何其金;宋剑;王自磊;余帆;周超设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双隧穿光电转化半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种双隧穿光电转化半导体器件，包括：N型硅基板；P型掺杂层，位于N型硅基板的第一表面；第一钝化层，位于P型掺杂层的表面；第一保护层，位于第一钝化层的表面；第一电极，设置在P型掺杂层的表面，穿过第一钝化层和第一保护层延伸至第一保护层外；第一隧穿层，位于N型硅基板的第二表面；第一掺杂多晶硅层，位于第一隧穿层的表面；第二隧穿层，位于第一掺杂多晶硅层的表面；第二掺杂多晶硅层，位于第二隧穿层的表面；第二钝化层，位于第二掺杂多晶硅层的表面；第二保护层，位于第二钝化层的表面；第二电极，设置在第二掺杂多晶硅层中，穿过第二钝化层和第二保护层延伸至第二保护层外。本实用新型能够改善半导体器件的EL良率。
本实用新型一种双隧穿光电转化半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种双隧穿光电转化半导体器件，其特征在于，包括： N型硅基板； P型掺杂层，位于所述N型硅基板的第一表面； 第一钝化层，位于所述P型掺杂层的表面； 第一保护层，位于所述第一钝化层的表面； 第一电极，设置在所述P型掺杂层的表面，穿过所述第一钝化层和所述第一保护层延伸至所述第一保护层外； 第一隧穿层，位于所述N型硅基板的第二表面； 第一掺杂多晶硅层，位于所述第一隧穿层的表面； 第二隧穿层，位于所述第一掺杂多晶硅层的表面； 第二掺杂多晶硅层，位于所述第二隧穿层的表面； 第二钝化层，位于所述第二掺杂多晶硅层的表面； 第二保护层，位于所述第二钝化层的表面； 第二电极，设置在第二掺杂多晶硅层中，穿过所述第二钝化层和所述第二保护层延伸至所述第二保护层外。
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