西安伊鼎智能科技有限公司张志亚获国家专利权
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龙图腾网获悉西安伊鼎智能科技有限公司申请的专利一种具有低交叉极化的一维紧耦合相控阵获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119093035B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411429074.7,技术领域涉及:H01Q21/06;该发明授权一种具有低交叉极化的一维紧耦合相控阵是由张志亚;周彬;吴桐;姜辉;周祺磊;赵超;洪涛设计研发完成,并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有低交叉极化的一维紧耦合相控阵在说明书摘要公布了:本发明涉及一种具有低交叉极化的一维紧耦合相控阵,包括多个周期单元,每个周期单元包括水平极化交趾型偶极子、垂直极化交趾型偶极子、馈电结构、第一金属地板;水平、垂直极化交趾型偶极子分别印刷于介质板的上、下层,且两者相互正交放置;水平极化交趾型偶极子的馈电端口以俯仰面中心线为对称分布;垂直极化交趾型偶极子的馈电端口在俯仰面中心线上交错排布;馈电结构用于给水平、垂直极化交趾型偶极子馈电;第一金属地板为水平极化交趾型偶极子和垂直极化交趾型偶极子的反射地板。本发明通过阵列馈电端口的这种对称式设计,使得辐射体具备较好的对称性,优化了电流路径,减小了引起交叉极化的电流分量,使天线具备较低的交叉极化水平。
本发明授权一种具有低交叉极化的一维紧耦合相控阵在权利要求书中公布了:1.一种具有低交叉极化的一维紧耦合相控阵,其特征在于,包括多个周期单元,每个周期单元包括水平极化交趾型偶极子(2)、垂直极化交趾型偶极子(3)、馈电结构、第一金属地板(8); 所述水平极化交趾型偶极子(2)印刷于第一介质板(1)的上层,所述垂直极化交趾型偶极子(3)印刷于第一介质板(1)的下层,且水平极化交趾型偶极子(2)与垂直极化交趾型偶极子(3)相互正交放置;所述垂直极化交趾型偶极子(3)沿Y轴方向,所述垂直极化交趾型偶极子(3)的末端与竖直渐变延伸部分(4)相连接;所述竖直渐变延伸部分(4)的下方向内弯折后置于介质块(5)的上方,所述介质块(5)位于第一金属地板(8)的上方; 所述水平极化交趾型偶极子(2)的馈电端口以俯仰面中心线为对称分布;所述垂直极化交趾型偶极子(3)的馈电端口在俯仰面中心线上交错排布,即相邻两列垂直极化交趾型偶极子(3)一列向俯仰面中心线上方偏移,一列向俯仰面中心线下方偏移; 所述馈电结构用于给水平极化交趾型偶极子(2)和垂直极化交趾型偶极子(3)馈电; 所述第一金属地板(8)为水平极化交趾型偶极子(2)和垂直极化交趾型偶极子(3)的反射地板。
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