浙江大学;浙江大学杭州国际科创中心;浙江创芯集成电路有限公司陈甫讯获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学;浙江大学杭州国际科创中心;浙江创芯集成电路有限公司申请的专利基于逐步回归的光刻工艺窗口分析方法、装置和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119065211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411422657.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权基于逐步回归的光刻工艺窗口分析方法、装置和设备是由陈甫讯;周国栋;陈泽阳;郑超怡;倪东;高大为设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于逐步回归的光刻工艺窗口分析方法、装置和设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种基于逐步回归的光刻工艺窗口分析方法、装置和设备。所述方法包括：获取光刻胶图形图像数据以及确定光刻工艺窗口所需的约束条件；确定光刻胶图形特征与曝光能量和焦距之间满足的光刻工艺模型以及光刻工艺模型的逐步回归方向；按照逐步回归方向所指示的方向，根据光刻胶图形图像数据对光刻工艺模型进行逐步回归，得到多个候选光刻工艺模型，以及各候选光刻工艺模型的模型选择指标值；根据模型选择指标值，从多个候选光刻工艺模型中确定目标光刻工艺模型；根据约束条件和目标光刻工艺模型，确定光刻工艺窗口。采用本方法能够提高焦距能量矩阵数据的分析结果的准确度。
本发明授权基于逐步回归的光刻工艺窗口分析方法、装置和设备在权利要求书中公布了：1.一种基于逐步回归的光刻工艺窗口分析方法，其特征在于，所述方法包括： 获取光刻胶图形图像数据以及确定光刻工艺窗口所需的约束条件； 确定光刻胶图形特征与曝光能量和焦距之间满足的光刻工艺模型以及所述光刻工艺模型的逐步回归方向； 按照所述逐步回归方向所指示的方向，根据所述光刻胶图形图像数据对所述光刻工艺模型进行逐步回归，得到多个候选光刻工艺模型，以及各所述候选光刻工艺模型的模型选择指标值； 根据所述模型选择指标值，从多个所述候选光刻工艺模型中确定目标光刻工艺模型； 根据所述约束条件和所述目标光刻工艺模型，确定光刻工艺窗口。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学;浙江大学杭州国际科创中心;浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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