中微半导体设备(上海)股份有限公司张旭彤获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种磁力组件及磁控溅射设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223316769U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422453102.0，技术领域涉及：C23C14/35；该实用新型一种磁力组件及磁控溅射设备是由张旭彤;吴狄;连增迪;李兆晟设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁力组件及磁控溅射设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种磁力组件及磁控溅射设备，所述磁力组件应用于磁控溅射设备中，包括：第一磁场发生器组，位于基板上方。第二磁场发生器组，位于基板下方；第三磁场发生器组，位于基板上方。第一磁场发生器组、第二磁场发生器组和第三磁场发生器组均与基板同轴设置，且均位于基座的径向区域外。第一磁场发生器组和第二磁场发生器组共同作用在基板位置形成均匀且垂直于基板的磁场。第三磁场发生器组用于对整个基板区域的磁场的均匀性和或强度进行调控。第一磁场发生器组、第二磁场发生器组和或第三磁场发生器组由多个电磁线圈构成。本实用新型能够调节基板表面上的磁场强度的均匀分布，提高金属沉积的一致性和薄膜的整体性能。
本实用新型一种磁力组件及磁控溅射设备在权利要求书中公布了：1.一种磁力组件，应用于磁控溅射设备中，所述磁控溅射设备包括真空腔，位于所述真空腔内部的基座，所述基座用于承载基板，其特征在于，所述磁力组件包括： 第一磁场发生器组，位于所述基板上方； 第二磁场发生器组，位于所述基板下方； 第三磁场发生器组，位于所述基板上方； 所述第一磁场发生器组、所述第二磁场发生器组和所述第三磁场发生器组均与所述基板同轴设置，且均位于所述基座的径向区域外； 所述第一磁场发生器组和所述第二磁场发生器组共同作用在所述基板位置形成均匀且垂直于所述基板的磁场； 所述第三磁场发生器组用于对整个所述基板区域的磁场的均匀性和或强度进行调控； 所述第一磁场发生器组、第二磁场发生器组和或第三磁场发生器组由多个电磁线圈构成。
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