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龙图腾网获悉睿思微系统(烟台)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133183B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411339596.8，技术领域涉及：H10D84/86；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由程川;杨天应;陈高鹏;陈利杰;闫书萌设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，应用于半导体器件技术领域，包括：衬底；位于衬底一侧表面的功能层；功能层形成有至少一个主晶体管和至少一个辅助晶体管；主晶体管的源端与辅助晶体管的漏端连接；辅助晶体管的源端接地，辅助晶体管的栅端空置或接地；辅助晶体管的栅宽大于主晶体管的栅宽。通过在主晶体管级联额外的辅助晶体管形成cascode结构，实现阻抗点的调节。通过串联辅助晶体管，实现降压，从而降低器件的功率匹配难度，使主晶体管易于匹配。同时由于主晶体管源极串联的辅助晶体管处于常开状态，不会对主晶体管功放的效率及增益产生影响，保证器件的性能。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底一侧表面的功能层；所述功能层形成有至少一个主晶体管1和至少一个辅助晶体管2；所述主晶体管1的源端与所述辅助晶体管2的漏端连接；所述辅助晶体管2的源端接地，所述辅助晶体管2的栅端空置或接地； 所述辅助晶体管2的栅宽大于所述主晶体管1的栅宽； 所述功能层包括位于所述衬底一侧表面的外延层3，所述外延层3在有源区形成有二维电子气； 所述有源区包括位于主晶体管1的第一有源区31和位于辅助晶体管2的第二有源区32，所述第二有源区32沿栅电极延伸方向的长度大于所述第一有源区31沿栅电极延伸方向的长度； 所述外延层3背向所述衬底一侧架设有第一空气桥41，所述第一空气桥41与所述主晶体管1的源电极11以及所述辅助晶体管2的漏电极22相接触，所述第一空气桥41与所述主晶体管1的漏电极12、所述主晶体管1的栅电极13、所述辅助晶体管2的源电极21以及所述辅助晶体管2的栅电极23相互隔离。

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