中国电子科技集团公司第五十五研究所王帅获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利半导体功率器件温度冲击实验装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223320527U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422336192.5，技术领域涉及：G01R31/26；该实用新型半导体功率器件温度冲击实验装置是由王帅;叶文龙;施尚设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体功率器件温度冲击实验装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体功率器件温度冲击实验装置，包括低温箱、高温箱、隔热挡板和夹具，所述隔热挡板设置在所述低温箱和所述高温箱之间，以隔离所述高温箱和所述低温箱，所述夹具用于夹持并移动半导体功率器件，所述低温箱中设置有冷台，所述冷台将所述低温箱分隔为上低温箱体和下低温箱体，所述高温箱中设置有热台，所述热台将所述高温箱分隔为上高温箱体和下高温箱体。本实用新型通过冷热台导热，能够与半导体功率器件间进行快速传热，通过夹具辅助能够实现快速温度冲击转换，除此之外通过冷台热台导热还能够减小待测器件的实际试验温度和制热或制冷温度之间的误差，提高检测准确度。
本实用新型半导体功率器件温度冲击实验装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件温度冲击实验装置，包括低温箱1、高温箱2、隔热挡板3和夹具，所述隔热挡板3设置在所述低温箱1和所述高温箱2之间，以隔离所述高温箱2和所述低温箱1，所述夹具用于夹持并移动半导体功率器件，其特征在于，所述低温箱1中设置有冷台11，所述冷台11将所述低温箱1分隔为上低温箱体12和下低温箱体13，所述高温箱2中设置有热台21，所述热台21将所述高温箱2分隔为上高温箱体22和下高温箱体23。
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