台湾积体电路制造股份有限公司王屏薇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223322355U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422277776.X，技术领域涉及：H10B10/00；该实用新型半导体结构是由王屏薇;张峰铭;陈瑞麟;吴於贝设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体结构。根据本公开的示例性半导体结构包括双埠静态随机存取存储器SRAM胞元，双埠SRAM胞元具有写入埠部分及电性耦合至写入埠部分的读取埠部分。读取埠部分包括具有栅极结构的晶体管。半导体结构亦包括：第一多条金属线，包括定位于在栅极结构之上设置的第一内连线层处的写入位元线及互补写入位元线；以及读取字元线，定位于第二内连线层处且电性耦合至栅极结构，第二内连线层设置于栅极结构之下。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 双埠静态随机存取存储器胞元，包括： 写入埠部分；以及 读取埠部分，电性耦合至所述写入埠部分且包括具有栅极结构的晶体管； 第一多条金属线，包括写入位元线及互补写入位元线，其中所述第一多条金属线定位于在所述栅极结构之上设置的第一内连线层处；以及 读取字元线，定位于第二内连线层处且电性耦合至所述栅极结构，其中所述第二内连线层设置于所述栅极结构之下。
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