星钥半导体(武汉)有限公司王思维获国家专利权
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龙图腾网获悉星钥半导体(武汉)有限公司申请的专利发光器件及产品获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223322375U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422216257.2，技术领域涉及：H10H29/85；该实用新型发光器件及产品是由王思维;方士伟;刘铭全设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光器件及产品在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种发光器件及产品，发光器件包括衬底和两个以上的发光单元，发光单元包括发光模组和透光围墙，发光模组包括依次分布的n型GaN、多层量子阱和p型GaN，透光围墙贴合围设设在发光模组的外周上，其中，发光单元还包括有挡墙，挡墙贴合围设在透光围墙的外周上，相邻的发光单元的挡墙间互不连接且相互间隔开，该间隔空间内设有填充层。产品设有上述发光器件，该发光器件具有防止光损失、光串扰效果好，便于生产且生产成本低的优点。
本实用新型发光器件及产品在权利要求书中公布了：1.发光器件，包括衬底和两个以上的发光单元，所述发光单元包括发光模组和透光围墙，发光模组包括依次分布的n型GaN、多层量子阱和p型GaN，所述透光围墙贴合围设在所述发光模组的外周上，其特征在于： 所述发光单元还包括有挡墙，所述挡墙贴合围设在所述透光围墙的外周上，相邻的所述发光单元的所述挡墙间互不连接且相互间隔开，该间隔空间内设有填充层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人星钥半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来科技城龙山南街6号展想新思中心1号楼8楼808单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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