拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司许铁柱获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利边缘环、加热盘及半导体器件的加工设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223321256U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422114000.6，技术领域涉及：H01L21/687；该实用新型边缘环、加热盘及半导体器件的加工设备是由许铁柱;李丹设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本边缘环、加热盘及半导体器件的加工设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种边缘环、一种加热盘及一种半导体器件的加工设备。所述边缘环，设于加热盘的边缘区域之上，并与所述加热盘中心区域的上升部保持一径向的装配间隙。所述边缘环接触并支撑晶圆的上表面为绝缘材质，而其接触所述加热盘的边缘区域的下表面，以及其对准所述上升部的内侧表面为导电材质。所述加热盘接地。所述内侧表面导电连接所述下表面，以经由所述加热盘导出所述边缘环与所述加热盘之间的寄生电荷。本实用新型可以通过将边缘环的内侧表面与加热盘的下表面导电连接，并将加热盘接地，用于将边缘环与加热盘之间的寄生电荷导走，以降低异常放电的风险，从而减少颗粒物的产生，提高薄膜的颗粒度表现。
本实用新型边缘环、加热盘及半导体器件的加工设备在权利要求书中公布了：1.一种边缘环，设于加热盘的边缘区域之上，并与所述加热盘中心区域的上升部保持一径向的装配间隙，其特征在于，所述边缘环接触并支撑晶圆的上表面为绝缘材质，而其接触所述加热盘的边缘区域的下表面，以及其对准所述上升部的内侧表面为导电材质，其中，所述加热盘接地，所述内侧表面导电连接所述下表面，以经由所述加热盘导出所述边缘环与所述加热盘之间的寄生电荷。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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