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昆明理工大学韦贺获国家专利权

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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种高强高导铝镁硅铜合金的制备工艺获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117737623B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311741856.X,技术领域涉及:C22F1/057;该发明授权一种高强高导铝镁硅铜合金的制备工艺是由韦贺;贺惊宝;陈所坤;李庆泓;王凌岳;曾新宇;师晓莉;李祖来设计研发完成,并于2023-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

一种高强高导铝镁硅铜合金的制备工艺在说明书摘要公布了:本发明公开了一种高强高导铝镁硅铜合金的制备工艺,属于引线框架材料生产工艺技术领域。本发明所述的高强高导铝镁硅铜合金,按质量百分比包含0.3~1.2%Mg,0.5~1.4%Si,5.0~7.8%Cu,0.1~0.2%Ti,0.01~0.1%B,其余为Al和一些不可避免的杂质元素。成品材料制备方法包括真空熔炼铸造、浇铸、锻造、初次固溶处理、恒温真空处理、反向重复异步轧制处理、二次三阶段固溶处理、不完全人工时效处理工艺。本工艺通过反向重复异步轧制处理改善了铝镁硅铜合金的强度和导电性能。其工件可用于汽车、电子、航空航天等领域,具有非常好的工业应用前景。

本发明授权一种高强高导铝镁硅铜合金的制备工艺在权利要求书中公布了:1.一种高强高导铝镁硅铜合金的制备工艺,其特征在于:具体制备步骤如下所述: (1)将Mg、Si、Ti、B合金粉末和Al及不可避免的杂质在球磨机中进行混粉,然后进行熔炼,在熔炼过程中通过送粉口将Cu粉末投入到合金液中并进行电磁搅拌,接着进行精炼、除杂工序,获得合金熔液; (2)将步骤(1)得到的合金熔液保温后浇铸到预热好的模具中,形成铝合金板; (3)将步骤(2)中得到的铝合金板置于空气循环电阻炉中进行初次固溶处理,然后进行退火处理; (4)将退火处理后的铝合金放入恒温真空箱中进行恒温真空处理; (5)恒温真空处理完成后将铝合金板进行反向重复异步轧制处理; (6)反向重复异步轧制处理后将铝合金进行二次三阶段固溶处理; (7)二次三阶段固溶处理后将铝合金进行不完全人工时效处理,得到高强高导铝镁硅铜合金; 步骤(1)中Mg、Si、Ti、B、Cu粉末和Al及一些不可避免的杂质元素总的质量百分数为100%,其中包含0.3~1.2%Mg,0.5~1.4%Si,5.0~7.8%Cu,0.1~0.2Ti%,0.01~0.1%B,余量为Al和一些不可避免的杂质元素。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人昆明理工大学,其通讯地址为:650093 云南省昆明市一二一大街文昌路68号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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