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龙图腾网获悉宁波芯健半导体有限公司申请的专利一种测试芯片的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117790341B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311745136.0，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种测试芯片的封装方法是由彭祎;任超;方梁洪;李春阳设计研发完成，并于2023-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测试芯片的封装方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种测试芯片的封装方法，涉及半导体封装技术的领域，其包括提取第一集成电路晶圆并于第一集成电路晶圆的一侧覆盖第一介电层；于第一介电层的一侧溅射第一金属TiCu层；将第一掩模版上的图像进行光刻以在第一金属TiCu层上形成第一光刻层；于第一光刻层上电镀第一UBM金属层；依次去除第一光刻层和第一金属TiCu层，以露出成型为第一设计芯片图像和第一测试芯片图像的第一电镀金属层；于第一电镀金属层上形成第一凸点；将第一集成电路晶圆切割成单个第一芯片，本申请具有在封装过程中设计中心有特殊图像的测试芯片，使得每次检测都处于同一个水平，检测结果较为准确且判断依据标准化，提高了检测的效率的效果。

本发明授权一种测试芯片的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种测试芯片的封装方法，应用于不具有再布线结构的芯片上，其特征在于，包括： 提取第一集成电路晶圆并于第一集成电路晶圆裸露出第一电极的一侧覆盖第一介电层，所述第一集成电路晶圆上设有第一待成型芯片，所述第一待成型芯片上设有第一电极和第一电路模块，所述第一集成电路晶圆上覆盖有第一钝化层，所述第一钝化层远离第一集成电路晶圆的一侧设有露出第一电极的第一开口； 于第一介电层远离第一集成电路晶圆的一侧溅射第一金属TiCu层； 将预设的第一掩模版上的图像进行光刻以在第一金属TiCu层上形成第一光刻层，所述第一光刻层包括预设的第一设计芯片图像和第一测试芯片图像； 于第一光刻层上电镀第一UBM金属层； 依次去除第一光刻层和第一金属TiCu层，以露出成型为第一设计芯片图像和第一测试芯片图像的第一电镀金属层； 于第一电镀金属层上形成第一凸点，所述形成工艺为植球工艺或者回流工艺； 于经过检测后将第一集成电路晶圆切割成单个第一芯片，所述第一芯片包括具有第一设计芯片图像的设计芯片和具有第一测试芯片图像的第一测试芯片。

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