内蒙古鑫华半导体科技有限公司李明峰获国家专利权
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龙图腾网获悉内蒙古鑫华半导体科技有限公司申请的专利一种区熔用多晶硅原料联合母料生产工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117509648B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311653785.8，技术领域涉及：C01B33/03；该发明授权一种区熔用多晶硅原料联合母料生产工艺是由李明峰;吴鹏;高国翔;王海豹;姜浩设计研发完成，并于2023-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种区熔用多晶硅原料联合母料生产工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种区熔用多晶硅原料联合母料生产工艺，包括以下步骤：内环电极安装母料硅芯，中环电极和外环电极安装区熔硅芯；母料硅芯与区熔硅芯接通相电流，并通氢气与三氯氢硅的混合气体；硅芯母料生长到预设直径，内环电极通电断开；区熔硅芯继续通电，区熔用多晶硅原料生长到预设直径，中环电极与外环电极通电断开；拆卸还原炉，拆卸硅芯母料与区熔用多晶硅原料。本发明中，硅芯母料与区熔用多晶硅原料联合生产，节省生产成本；断开内环电流，进料气体循环流动更加强劲有力，原料生长气场更加均匀；硅芯母料停止生长后，反应气氛温度降低，避免产生雾化现象，原料生长温场更加均匀，改善区熔用多晶硅原料的品质。
本发明授权一种区熔用多晶硅原料联合母料生产工艺在权利要求书中公布了：1.一种区熔用多晶硅原料联合母料生产工艺，其特征在于，包括以下步骤： 内环电极安装若干母料硅芯，中环电极和外环电极安装若干区熔硅芯； 母料硅芯与区熔硅芯接通不同相电流，并往还原炉通氢气与三氯氢硅的混合气体； 硅芯母料生长到预设直径，DCS程序启动，远程控制降低氢气与三氯氢硅混合气体的配比，同时母料硅芯所通电流在规定时间降低到预设值，内环电极通电断开； 区熔硅芯继续通电，区熔用多晶硅原料生长到预设直径，DSC程序启动，远程控制降低氢气与三氯氢硅混合气体的配比，同时区熔硅芯所通电流在规定时间内降低到预设值，中环电极与外环电极通电断开； 拆卸还原炉，拆卸生长好的硅芯母料与区熔用多晶硅原料。
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