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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利强微波电场对放大器芯片性能影响水平测试系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117761505B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311624885.8，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权强微波电场对放大器芯片性能影响水平测试系统及方法是由张薇;张沂;高勇;龙嘉威;向志军;李恩设计研发完成，并于2023-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本强微波电场对放大器芯片性能影响水平测试系统及方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供一种强微波电场对放大器芯片性能影响水平测试系统及方法，属于微波、毫米波测试技术领域。该测试系统创新性地采用重入式谐振腔进行强微波电场下对放大器芯片性能影响水平测试，实现了强电场强度下放大器性能变化的测试，在同等功率水平微波注入的情况下，有效扩大了测试所能使用的电场强度范围，提高了强微波电场环境构建的效率，降低了研究成本。

本发明授权强微波电场对放大器芯片性能影响水平测试系统及方法在权利要求书中公布了：1.强微波电场对放大器芯片性能影响水平测试系统，其特征在于，包括重入式谐振腔主腔体、重入式谐振腔上盖板、微波电探针、第一功率计、第二功率计、第一信号源、第二信号源、电源、功率放大器和定向耦合器； 其中，第一信号源与功率放大器的一个端口相连，功率放大器的另一个端口与定向耦合器的入射端相连；定向耦合器的直通端与微波电探针相连，定向耦合器的耦合端与第一功率计相连，定向耦合器的反射端与匹配负载相连；所述微波电探针设置于重入式谐振腔主腔体腔内距离下底的不超过三分之一腔长处； 所述重入式谐振腔上盖板中心处设置圆柱型突出部，待测芯片固定设置于突出部上，待测芯片的电源引脚穿过重入式谐振腔上盖板与电源相连，输入引脚穿过重入式谐振腔上盖板与第二信号源相连，输出引脚穿过重入式谐振腔上盖板与第二功率计相连； 重入式谐振腔主腔体由内部中空的圆柱型外导体和与外导体同心设置的内导体组成，内导体的下端面与外导体下底面固定连接，外导体的上顶面中心设置通孔，通孔直径与重入式谐振腔上盖板的圆柱突出部的尺寸相同，通孔高度与重入式谐振腔上盖板的圆柱突出部高度相同，使重入式谐振腔上盖板与重入式谐振腔主腔体上顶面完全匹配，且内导体上端面与待测芯片不接触； 所述测试系统按照以下步骤进行测试： 步骤1.将第一信号源关闭，在无微波电场时，利用第二信号源读取待测芯片的输入功率Pin1，并利用第二功率计测量待测芯片的输出功率Pout1； 步骤2.打开第一信号源，使重入式谐振腔主腔体激励起微波电场，调节功率放大器在所需微波电场强度下，利用第二信号源读取待测芯片的输入功率Pin2，并利用第二功率计测量待测芯片的输出功率Pout2； 步骤3.基于步骤1和步骤2所得到的待测芯片的输入功率Pin1、Pin2和输出功率Pout1、Pout2，分别计算增益G和效率η，具体计算过程如下： 其中，Us为电源电压，Id为漏极电流； 步骤4.比较有无微波电场下的增益G和效率η，即可分析得到强微波电场对放大器芯片性能影响水平。

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