苏州思若梅克电子科技有限公司郇宇获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州思若梅克电子科技有限公司申请的专利一种无铅压电陶瓷及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117902897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311518694.3，技术领域涉及：C04B35/495；该发明授权一种无铅压电陶瓷及其制备方法与应用是由郇宇;王垂磊;王庆莹设计研发完成，并于2023-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种无铅压电陶瓷及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明属于陶瓷材料制备方法技术领域，具体涉及一种无铅压电陶瓷及其制备方法与应用。所述无铅压电陶瓷为KNN基无铅压电陶瓷或BT基无铅压电陶瓷，具有钙钛矿结构；所述KNN基无铅压电陶瓷是以铌酸钾钠（KNN）陶瓷为基体掺杂氮化镓制备而成，化学式为0.955K0.48Na0.52Nb0.98Sb0.02O3‒0.045Bi0.5Na0.5ZrO3‒0.75mol%GaN；所述BT基无铅压电陶瓷是以酸钡（BT）陶瓷为基体掺杂氮化镓制备而成，化学式为（Ba0.85Ca0.15）（Ti0.9Zr0.1）O3‒1.75mol%GaN；所述无铅压电陶瓷具有结构致密，不含铅及电化学性能良好的的特点。所述无铅压电陶瓷的制备方法具有操作简单，成本低，无污染及原料易得的优点。所述无铅压电陶瓷可用于制备能量收集器，具有重要的应用价值。
本发明授权一种无铅压电陶瓷及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种无铅压电陶瓷，其特征在于，所述无铅压电陶瓷为KNN基无铅压电陶瓷或BT基无铅压电陶瓷；所述无铅压电陶瓷的结构为钙钛矿结构； 所述KNN基无铅压电陶瓷是以KNN陶瓷为基体掺杂氮化镓制备而成；所述KNN基无铅压电陶瓷的化学式为0.955K0.48Na0.52Nb0.98Sb0.02O3‒0.045Bi0.5Na0.5ZrO3‒0.75mol%GaN； 所述BT基无铅压电陶瓷是以BT陶瓷为基体掺杂氮化镓制备而成；所述BT基无铅压电陶瓷的化学式为（Ba0.85Ca0.15）（Ti0.9Zr0.1）O3‒1.75mol%GaN。
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