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龙图腾网获悉浙江芯科半导体有限公司申请的专利基于氮化镓的凹栅MOS结构紫外光电探测器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344663B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310316978.8，技术领域涉及：H10F30/28；该发明授权基于氮化镓的凹栅MOS结构紫外光电探测器及其制造方法是由李京波;刘杭瓒;汪禹;杨雄;刘传凯;王小周;韩理想设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于氮化镓的凹栅MOS结构紫外光电探测器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于氮化镓的凹栅MOS结构紫外光电探测器，包括：衬底；缓冲层，位于衬底的上表面；第一n+‑GaN层，位于缓冲层的上表面；n‑‑GaN层，位于第一n+‑GaN层的上表面；p‑GaN层，位于n‑‑GaN层的上表面；第二n+‑GaN层，位于p‑GaN层的上表面，p‑GaN层和第二n+‑GaN层上形成有延伸至n‑‑GaN层表面的第一凹口；栅介质层，位于第一n+‑GaN层的上表面、第二n+‑GaN层的上表面以及第一凹口的表面，栅介质层、第二n+‑GaN层以及p‑GaN层形成有第二凹口；漏电极，位于第一n+‑GaN层上；栅电极，位于栅介质层的上表面，与第一凹口相对应；源电极，位于第二凹口处。本申请PN结的存在使其拥有栅压调控其光电特性的能力。通过施加给器件一个正栅压，紫外探测的光暗电流比能够超过106，同时器件具有极快的上升时间τrise和衰减时间τdecay。

本发明授权基于氮化镓的凹栅MOS结构紫外光电探测器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氮化镓的凹栅MOS结构紫外光电探测器，其特征在于，包括： 衬底； 缓冲层，位于所述衬底的上表面； 第一n+-GaN层，位于所述缓冲层的上表面； n--GaN层，位于所述第一n+-GaN层的上表面； p-GaN层，位于所述n--GaN层的上表面； 第二n+-GaN层，位于所述p-GaN层的上表面，所述p-GaN层和第二n+-GaN层上形成有延伸至n--GaN层表面的第一凹口； 栅介质层，位于所述第一n+-GaN层的上表面、第二n+-GaN层的上表面以及第一凹口的表面，所述栅介质层、第二n+-GaN层以及p-GaN层形成有第二凹口，所述第二凹口有两个，分别位于所述第一凹口的两侧； 两个漏电极，位于所述第一n+-GaN层上，且分别位于所述栅介质层的两侧； 栅电极，位于所述栅介质层的上表面，与所述第一凹口相对应；以及 两个源电极，分别位于对应的第二凹口处。

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