江苏天芯微半导体设备有限公司叶斌获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏天芯微半导体设备有限公司申请的专利一种形成外延层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288696B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310296278.7，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权一种形成外延层的方法是由叶斌设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种形成外延层的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种形成外延层的方法，包含以下步骤：S1、提供衬底；将所述衬底置于外延设备的腔体内，所述外延设备包括腔体、第一进气件、排气口和内、外灯组，所述内、外灯组用于给衬底加热，所述第一进气件和排气口分别置于腔体相对的两侧；S2、通过第一进气件向腔体内沿第一方向通入工艺气体，执行外延工艺；其中，所述工艺气体包括第一硅源和不同于第一硅源的第二硅源。本发明通过控制两种硅源工艺气体的流量，以及优化内、外灯组功率占比，提高了硅外延层的均匀性。
本发明授权一种形成外延层的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成外延层的方法，其特征在于，包含以下步骤： S1、提供衬底；将所述衬底置于外延设备的腔体内，所述外延设备包括腔体、第一进气件、排气口和内、外灯组，所述内、外灯组用于给衬底加热，所述第一进气件和排气口分别置于腔体相对的两侧；所述第一进气件包括至少两个进气通道，所述至少两个进气通道水平排列，与衬底所在平面平行； S2、通过第一进气件的进气通道向腔体内沿第一方向通入工艺气体，执行外延工艺； 其中，所述工艺气体包括第一硅源和不同于第一硅源的第二硅源；通过调节不同进气通道中第一硅源和第二硅源的流量比例来调节所述外延工艺中形成外延层的均匀性；所述第一硅源在不同进气通道的流量从中心至边缘方向递减，所述第二硅源在不同进气通道的流量从中心至边缘方向递增。
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