江苏天芯微半导体设备有限公司叶斌获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏天芯微半导体设备有限公司申请的专利一种建立锗硅生长速率拟合模型的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116343960B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310219410.4，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种建立锗硅生长速率拟合模型的方法是由叶斌;李哲;丁科允设计研发完成，并于2023-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种建立锗硅生长速率拟合模型的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种建立锗硅生长速率拟合模型的方法，所述方法包含以下步骤：S1、提供具有腔体的外延设备；S2、设定工艺参数，向所述腔体内通入工艺气体，在衬底上生长锗硅外延层；S3、获得该工艺参数对应的锗硅外延层的生长速率；S4、改变所述工艺参数，并重复S2至S3步骤，获得改变后的工艺参数下的锗硅外延层的生长速率；S5、根据每一个工艺参数和该工艺参数对应的生长速率，获得关于工艺参数的所述锗硅生长速率拟合模型；本发明提出的拟合模型能够准确推算锗硅外延层的生长速率，且适用工艺范围更广泛。
本发明授权一种建立锗硅生长速率拟合模型的方法在权利要求书中公布了：1.一种建立锗硅生长速率拟合模型的方法，所述锗硅生长速率为锗硅外延层在衬底上的生长速率，其特征在于，所述方法包含以下步骤： S1、提供具有腔体的外延设备； S2、设定工艺参数，向所述腔体内通入工艺气体，在衬底上生长锗硅外延层； S3、获得该工艺参数对应的锗硅外延层的生长速率； S4、改变所述工艺参数，并重复S2至S3步骤，获得改变后的工艺参数下的锗硅外延层的生长速率； S5、根据每一个工艺参数和该工艺参数对应的生长速率，获得关于工艺参数的所述锗硅生长速率拟合模型； 其中，所述工艺气体包括含硅气体和含锗气体； 所述工艺参数包含：工艺温度、含硅气体的分压、含锗气体的分压； 所述锗硅生长速率拟合模型是： 其中，GR代表锗硅生长速率，k1、k2、k3为常数，R为摩尔气体常量，Ea为反应激活能，PGe代表含锗气体的分压，PSi代表含硅气体的分压，T代表工艺温度。
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