上海华虹宏力半导体制造有限公司徐兴国获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利自动调控薄膜厚度及薄膜内元素掺杂浓度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190208B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310139200.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权自动调控薄膜厚度及薄膜内元素掺杂浓度的方法是由徐兴国;姜波;张凌越;陈广伦设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本自动调控薄膜厚度及薄膜内元素掺杂浓度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种自动调控薄膜厚度及薄膜内元素掺杂浓度的方法，应用于半导体工艺领域中。具体的，其先利用本发明所提供的计算公式，计算出在某次炉管反应之前所执行的至少一批次作业所残留的反应气体总量，即，炉管反应腔中当前实际所存在的反应气体残留量，然后再根据该实际情况，设计设置本次工艺需要的工艺补偿参数，进而在炉管的反应腔中形成目标薄膜或膜层的同时，自动消除炉管反应腔中的残留反应气体对本次工艺中形成的薄膜厚度及薄膜内元素掺杂浓度所产生的影响。
本发明授权自动调控薄膜厚度及薄膜内元素掺杂浓度的方法在权利要求书中公布了：1.一种反应腔内反应气体残留量的确定方法，其特征在于，适用于半导体常压氧化炉管工艺或低压化学沉积炉管工艺，所述确定方法至少包括如下步骤： 针对炉管执行的每个工艺菜单的作业，确定所述执行的每个工艺菜单的作业后所产生的反应气体初始残留量，并基于预设的特气残留当量计算公式，计算出所述执行的每个工艺菜单作业所残留的反应气体在后续第n个作业批次执行前的残留量； 将所述炉管中先前所执行的前n个批次作业所产生的反应气体的残留量进行累加，以得到所述炉管反应腔中的反应气体总残留量； 其中，所述用于计算炉管执行的每个工艺菜单的作业所残留的反应气体在后续第n个批次作业执行前的反应气体残留量的预设特气残留当量计算公式为： Qn＝Qi*Min-1 其中，Qn为每个工艺菜单执行作业所残留的反应气体在后续第n个作业批次执行前的残留量，Qi为每个工艺菜单执行作业所产生的反应气体初始残留量；M为该工艺菜单在后续每个批次作业后反应气体的残留系数；所述M的取值范围为：0M≤1，所述n的取值范围：1﹤n﹤10000。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号