扬州国宇电子有限公司马文力获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州国宇电子有限公司申请的专利一种半导体换能桥及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116086259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310078880.3，技术领域涉及：F42C19/08；该发明授权一种半导体换能桥及其制备方法是由马文力;李浩;杨梦凡设计研发完成，并于2023-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体换能桥及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件技术领域内的一种半导体换能桥及其制备方法。该半导体换能桥包括：绝缘型衬底；掺杂层，设置于绝缘型衬底衬底上方，掺杂层包括P型轻掺杂区、P型重掺杂区、N型重掺杂区，P型重掺杂区设置于P型轻掺杂区两侧，N型重掺杂区设置于P型重掺杂区两侧；薄氧化层，设置于掺杂层上方；氮化硅层，设置于薄氧化层上方；金属压焊点，设置于氮化硅层上方，金属压焊点下部与N型重掺杂层接触；金属焊接层，设置于绝缘型衬底下方。该半导体换能桥的P型耗尽型器件可向外部提供更高的能量且反向漏电流低、工作寿命长；且其P型重掺杂区位于P型轻掺杂区两侧，从而提高了封装工作效率。
本发明授权一种半导体换能桥及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体换能桥，其特征在于，包括： 绝缘型衬底； 掺杂层，设置于所述绝缘型衬底上方，所述掺杂层包括P型轻掺杂区、P型重掺杂区、N型重掺杂区，所述P型重掺杂区设置于所述P型轻掺杂区两侧，所述N型重掺杂区设置于所述P型重掺杂区两侧，所述P型重掺杂区用以调整发火电压；所述P型轻掺杂区的浓度为1×1014~1×1016cm-3，所述P型轻掺杂区的宽度为5~15μm，厚度为0.5~5.0μm，所述P型重掺杂区浓度为1×1016~1×1018cm-3，所述N型重掺杂区的浓度为1×1018~1×1020cm-3； 薄氧化层，设置于所述掺杂层上方； 氮化硅层，设置于所述薄氧化层上方； 金属压焊点，设置于所述氮化硅层上方，所述金属压焊点下部与所述N型重掺杂层接触； 金属焊接层，设置于所述绝缘型衬底下方。
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