台湾积体电路制造股份有限公司刘瑞雄获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116224715B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310028733.5，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法是由刘瑞雄;李柏璇;吕安云;陈冠廷;陈柏熊;林本坚设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法在说明书摘要公布了：一种光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法，制造半导体装置的方法包括以下步骤：在基板上形成光阻剂层，将光阻剂层选择性地曝露于EUV辐射，及显影选择性地曝光的光阻剂层。光阻剂层的组成物包括溶剂及光敏化合物，该光敏化合物溶解于溶剂且由结合六聚体锡及两个氯配体的分子簇化合物组成。
本发明授权光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含以下步骤： 在一基板上形成一光阻剂层； 将该光阻剂层选择性地曝露于一极紫外线辐射；及 显影该选择性曝光的光阻剂层， 其中该光阻剂层具有一组成物，包含： 一溶剂；及 一光敏化合物，溶解于该溶剂且由结合六聚体锡及两个氯配体的一分子簇化合物组成； 其中，该光敏化合物为以下结构：
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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