福建省晋华集成电路有限公司叶长福获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190310B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310022173.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其形成方法是由叶长福设计研发完成，并于2023-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面包括向内凹陷的接触孔，所述接触孔内形成有连结电路，所述连结电路与所述接触孔的侧壁之间具有间隙，所述连结电路包含有金属金属氮化物掺杂多晶硅；对所述接触孔进行至少一次氧化处理，以使所述接触孔表面的硅以及所述连结电路侧壁的硅形成硅氧化物；形成保形覆盖所述连结电路、所述接触孔和所述衬底表面的隔离层。本申请能够降低残留的硅化物对相应半导体器件性能的影响，优化所得半导体器件的性能，提高所得半导体器件的稳定性。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括： 提供衬底，所述衬底表面包括向内凹陷的接触孔，所述接触孔内形成有连结电路，所述连结电路与所述接触孔的侧壁之间具有间隙，所述连结电路包含有金属、金属氮化物和掺杂多晶硅； 对所述接触孔进行至少一次氧化处理，以使所述接触孔表面的掺杂多晶硅以及所述连结电路侧壁的掺杂多晶硅形成硅氧化物； 形成保形覆盖所述连结电路、所述接触孔和所述衬底表面的隔离层； 所述对所述接触孔进行至少一次氧化处理，包括：在第一次对所述接触孔进行氧化反应后，对所述接触孔的表面及连结电路侧壁的掺杂多晶硅进行第二次氧化，以使所述接触孔表面的掺杂多晶硅以及所述连结电路侧壁的掺杂多晶硅完全转化为硅氧化物； 在对所述接触孔的表面及连结电路侧壁的掺杂多晶硅进行第二次氧化之前，所述形成方法还包括：去除所述硅氧化物。
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