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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种六方相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116024659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211691950.4，技术领域涉及：C30B29/16；该发明授权一种六方相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法是由马啸尘设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种六方相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种六方相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法，属于光电子信息功能材料技术领域。用乙醇钽作为有机金属化合物材料，以高纯氧气作为氧化气体，采用金属有机物化学气相沉积设备在六方结构的氟化镧单晶衬底上制备出无孪晶的六方相五氧化二钽单晶薄膜。本发明所制备的六方相五氧化二钽单晶薄膜材料具有单晶质量高、稳定性好，因此在半导体器件领域具有良好的应用前景。

本发明授权一种六方相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种六方相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法，其特征在于：采用有机金属化学气相沉积工艺，以乙醇钽TaC10H25O5为金属有机物源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用MOCVD设备在氟化镧衬底晶片上生长六方相五氧化二钽单晶薄膜； 具体制备步骤如下： 步骤1开启高真空MOCVD设备，将反应室抽成高真空状态；将超声清洗的氟化镧LaF30001面单晶片衬底置于反应室中的衬底基台上并加热到生长温度； 步骤2设定反应室压强，打开氮气瓶阀门，向反应室通入背景N2并保持流量稳定； 步骤3打开氧气瓶阀门，调节氧气流量并保持流量稳定； 步骤4打开乙醇钽源瓶阀门，调节乙醇钽蒸汽流量并保持流量稳定； 步骤5将步骤3的氧气和步骤4的乙醇钽蒸汽同时通入反应室；在外延衬底上Ta2O5薄膜的生长速率为0.2～1.2nmmin； 步骤6反应结束，关闭乙醇钽源瓶及氧气瓶阀门，用氮气冲洗管道后关闭氮气瓶阀门并自然降温；制备得到六方相Ta2O5单晶薄膜； 所述的六方相Ta2O5单晶薄膜是六方结构单一相的Ta2O5单晶薄膜； 所述的六方相Ta2O5单晶薄膜的生长衬底为氟化镧LaF30001面衬底单晶片； 六方相Ta2O5薄膜与LaF3衬底的面外和面内的外延关系分别为六方相Ta2O50001||LaF30001和六方相 工艺条件如下： 反应室压强20Torr； 生长温度850℃； 背景N2流量120sccm； 氧气流量50sccm； 乙醇钽流量3.1×10-6molmin； 所述金属有机钽源是乙醇钽TaC10H25O5，氧化气体是氧气；衬底为氟化镧LaF30001面衬底单晶片； 上述制备方法得到的Ta2O5是具有六方结构的单晶薄膜，六方相Ta2O5的生长面为六方相Ta2O5的0001面。

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