安徽光智科技有限公司游曼辉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利线阵CZT探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211613059.9，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权线阵CZT探测器的制备方法是由游曼辉;张伟;曹红设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本线阵CZT探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供线阵CZT探测器的制备方法，包括：将晶体沿﹤111﹥晶向切割成矩形晶片，经表面处理去除表面损伤层，在晶片{111}Te面制备电极图案，并在电极图案之间设划片道区域，经光刻后镀金；剥离光刻胶上的金膜，在{111}Te面、{111}Cd面涂光刻胶，沿划片道区域将晶片切割成多个，并去除光刻胶；将多个晶片置于PVD托盘治具的凹槽中，对{111}Cd面镀金；将镀好金的晶片的{111}Te面及{111}Cd面涂正胶保护，对4个侧面抛光，后去除光刻胶即完成制备。该方法能解决崩边、以及涂胶不均导致的电极图形缺失问题，可以一次制备多个线阵探测器，生产效率高、加工成本低，操作简单，可控性强。
本发明授权线阵CZT探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.线阵CZT探测器的制备方法，其特征在于，包括： S1、将CZT晶体沿﹤111﹥晶向切割成矩形的晶片； S2、将晶片进行抛光，然后采用溴甲醇溶液进行处理； S3、在处理后的晶片的{111}Te面涂覆负胶，进行后续光刻工艺制备出多个电极图案，且光刻处理后相邻电极图案之间留有覆盖有负胶的划片道区域，然后在{111}Te面镀金； S4、采用去胶液处理镀金后的晶片，剥离掉光刻胶上的金膜； S5、在晶片的{111}Te面及{111}Cd面涂光刻胶做保护层，沿划片道区域将晶片切割成多个，然后去除{111}Te面及{111}Cd面的光刻胶； S6、将多个晶片放置于PVD托盘治具的凹槽中，对{111}Cd面镀金； S7、将完成镀金的晶片的{111}Te面及{111}Cd面涂正胶保护，然后抛光去除侧面少量因未保护到位所镀的金层，去除{111}Te面及{111}Cd面的光刻胶，即完成线阵CZT探测器的制备。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽光智科技有限公司，其通讯地址为：239064 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号