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龙图腾网获悉锐立平芯微电子(广州)有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利芯片金属互连线的制作方法及氧化层去除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440583B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211310053.4，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权芯片金属互连线的制作方法及氧化层去除方法是由李其鲁;刘海涛;丁文波;叶甜春;陈少民;李彬鸿设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片金属互连线的制作方法及氧化层去除方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域,公开了芯片金属互连线的制作方法及氧化层去除方法，在实际使用时，本发明通过在一个物理气相沉积腔体内完成前层金属线表面的氧化层去除和后续的沉积工艺制作，不用额外增加一个预清洁蚀刻腔体来蚀刻掉氧化层，减少了芯片金属互联线制作时所需要的腔体数量和维护成本，而且由于不用因去除前层金属线表面的氧化层将芯片在腔体之间周转，增加了芯片产出。

本发明授权芯片金属互连线的制作方法及氧化层去除方法在权利要求书中公布了：1.芯片金属互连线的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：提供物理气相沉积腔体，所述物理气相沉积腔体内设有静电吸盘、靶材、射频磁控装置和直流电源装置，所述靶材在所述静电吸盘上方； S2：将制作完前层金属线的芯片放到物理气相沉积腔体内的静电吸盘上； S3：在物理气相沉积腔体内使用离子轰击芯片表面来去除所述前层金属线表面的氧化层；在步骤S3中向物理气相沉积腔体内通入惰性气体，调整所述射频磁控装置的射频功率使惰性气体产生离子，给静电吸盘输入交流电源产生自偏压，所述离子在所述自偏压的作用下轰击芯片表面 S4：在芯片表面沉积第一金属层；在步骤S4中，通过所述直流电源装置给靶材通入直流电源使其产生负偏压，调整射频磁控装置的射频功率使惰性气体产生离子，离子在靶材负偏压作用下轰向靶材表面，靶材因受离子轰击产生的靶材原子落到芯片表面形成第一金属层； S5：使用离子轰击第一金属层的表面来消除第一金属层沉积时产生的悬突；在步骤S5中，停止向靶材通入直流电源，给静电吸盘输入交流电源使静电吸盘产生自偏压，调整射频磁控装置的射频功率使惰性气体产生离子，惰性气体产生的离子在自偏压的作用下轰向第一金属层的表面； S6：在第一金属层的表面沉积第二金属层；在步骤S6中，通过所述直流电源装置给靶材通入直流电源使其产生负偏压，调整射频磁控装置的射频功率使惰性气体产生离子，离子在靶材负偏压作用下轰向靶材表面，靶材因受离子轰击产生的靶材原子落到芯片表面形成第二金属层； 步骤S3中调整射频磁控装置的射频功率至300W～600W之间，所述交流电源的功率在150W～300W之间，步骤S3的持续时间在2S～5S之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，其通讯地址为：510000 广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。