佛山市国星半导体技术有限公司郑洪仿获国家专利权
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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种低翘曲度键合片的键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211314579.X，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权一种低翘曲度键合片的键合方法是由郑洪仿;旷明胜;陈慧秋设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低翘曲度键合片的键合方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低翘曲度键合片的键合方法，涉及半导体制造领域，包括以下步骤：在外延层、硅衬底的预键合面形成第一、第二键合材料，对准后置入具有弧面的石墨盘中进行键合；使其升温至第一温度并对其施加第一压力，保持第一时间以使键合材料熔化融合；使温度从第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度，同时将压力从第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力，且每阶段按照预设时间值保持一段时间。本发明的方法通过使用具有弧面的石墨盘进行键合，而且控制温度与压力阶段性同时降低且每阶段保持一定时间，能减小键合结构中的应力，降低键合结构的翘曲度，获得具有低翘曲度的键合片。
本发明授权一种低翘曲度键合片的键合方法在权利要求书中公布了：1.一种低翘曲度键合片的键合方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供硅衬底和蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上生长有外延层； 在所述外延层的预键合面形成第一键合材料，在所述硅衬底的预键合面形成第二键合材料； 将所述第一键合材料与所述第二键合材料对准贴合组成预键合结构，置入具有一定弧面的石墨盘中进行键合处理； 在键合处理的过程中，使所述预键合结构升温至第一温度并对所述预键合结构施加第一压力，保持第一时间以使所述第一键合材料与所述第二键合材料熔化融合形成键合层； 所述键合层形成后，使所述预键合结构的温度从所述第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度，同时对所述预键合结构施加的压力从所述第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力，且每阶段按照预设时间值保持一段时间，获得键合结构。
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